[發(fā)明專(zhuān)利]用于形成無(wú)定形硬碳涂層的方法和設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310341531.2
• 申請(qǐng)日: 2013-08-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103572249A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 糸村大輔;寺亮之介
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社電裝
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/27
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/27
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;劉春元

1.?一種用于在襯底的表面上形成無(wú)定形且硬的碳涂層的方法，所述方法包括以下步驟：

提供等離子加工設(shè)備，所述等離子加工設(shè)備包括限定加工腔的圓柱形電極和置于所述加工腔的中心區(qū)域周?chē)臈U狀電極，并且其中所述桿狀電極與所述圓柱形電極之間的距離是1至10?mm；

將電場(chǎng)施加至所述等離子加工設(shè)備中的所述桿狀電極與所述圓柱形電極之間，以通過(guò)等離子處理來(lái)生成用于涂層的形成的等離子；和

連續(xù)進(jìn)行以下一系列步驟：使所述襯底在存在氬氣、氫氣和氮?dú)獾那闆r下受到等離子氮化預(yù)處理以形成所述襯底的預(yù)處理表面，在所述襯底的所述預(yù)處理表面上形成中間層，并且使所述襯底在存在碳源的情況下受到等離子CVD處理以形成無(wú)定形且硬的碳涂層。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述預(yù)處理步驟和所述等離子CVD處理步驟兩者期間將脈沖DC電壓施加至所述桿狀電極。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的方法，其中所述襯底等同于所述桿狀電極。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的方法，其中所述襯底是同心置于所述圓柱形電極的內(nèi)表面中并且與所述圓柱形電極的內(nèi)表面電連通的構(gòu)件。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的方法，其中所述襯底包括含鐵材料。

6.?根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的方法，其中所述中間層是硬的含硅碳涂層。

7.?一種用于在襯底的表面上形成無(wú)定形且硬的碳涂層的設(shè)備，其中

所述設(shè)備包括等離子加工設(shè)備，所述等離子加工設(shè)備包括限定加工腔的圓柱形電極、置于所述加工腔的中心區(qū)域周?chē)臈U狀電極、以及用于引入處理氣體的進(jìn)氣口和用于將使用過(guò)的處理氣體排出的出氣口，所述進(jìn)氣口和出氣口兩者都被提供在所述加工腔的壁中，其中所述桿狀電極與所述圓柱形電極之間的距離是1至10?mm，

所述襯底是所述桿狀電極，或者所述襯底是被同心置于所述圓柱形電極的內(nèi)表面中并且與所述圓柱形電極的內(nèi)表面電連通的構(gòu)件，和

使用所述等離子加工設(shè)備，通過(guò)下列步驟來(lái)執(zhí)行所述無(wú)定形且硬的碳涂層的形成：

將電場(chǎng)施加至所述等離子加工設(shè)備中的所述桿狀電極與所述圓柱形電極之間，以通過(guò)等離子處理來(lái)生成用于涂層的形成的等離子；和

連續(xù)進(jìn)行以下一系列步驟：使所述襯底在存在氬氣、氫氣和氮?dú)獾那闆r下受到等離子氮化預(yù)處理以形成所述襯底的預(yù)處理表面，在所述襯底的所述預(yù)處理表面上形成中間層，并且使所述襯底在存在碳源的情況下受到等離子CVD處理以形成無(wú)定形且硬的碳涂層。