[發(fā)明專利]一種具有納米圓錐形SERS活性基片的快速制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310341462.5
• 申請日: 2013-08-07
• 公開（公告）號: CN103398997A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 浦鵬;董明建
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州揚清芯片科技有限公司
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有納米圓錐形SERS活性基片的快速制備方法，所述納米圓錐形SERS活性基底是涂覆在基片上的貴金屬納米錐體陣列結(jié)構(gòu)，所述貴金屬材料為銀、銅和/或金。?

2.按權(quán)利要求1所述的納米圓錐形SERS活性基片，其特征在于，其制作步驟如下：?

(1)將聚苯乙烯微球在基片表面單層平鋪；?

(2)對聚苯乙烯微球進行氧氣等離子體刻蝕(RIE)，使得微球等比縮小；?

(3)在聚苯乙烯修飾的基片表面蒸鍍或濺射貴金屬薄膜；?

(4)將基片放置于氫氟酸與雙氧水混夜里刻蝕后，取出超聲處理清除掉聚苯乙烯微球，得到納米線陣列；?

(5)將樣品置于氫氧化鈉堿液中刻蝕即得到納米圓錐形硅陣列；?

(6)在納米圓錐形硅陣列表面做蒸鍍或濺射金屬，得到SERS活性基片。?

3.按權(quán)利要求1或2所述的納米圓錐形SERS活性基片的快速制備方法，其特征在于，在所述貴金屬納米錐體陣列結(jié)構(gòu)中，納米錐體根部直徑約為150-200nm，納米錐體長度為50-100nm。?

4.按權(quán)利要求1或2所述的納米圓錐形SERS活性基片的快速制備方法，其特征在于，聚苯乙烯微球的直徑為50-500nm。?

5.按權(quán)利要求1或2所述的納米圓錐形SERS活性基片的快速制備方法，其特征在于，需要對聚苯乙烯微球進行RIE刻蝕。?

6.按權(quán)利要求1或2所述的納米圓錐形SERS活性基片的快速制備方法，其特征在于，所述貴金屬膜層采用磁控濺射或金屬蒸鍍形成在基片上。?

7.按權(quán)利要求1或2所述的納米圓錐形SERS活性基片的快速制備方法，?其特征在于，所述貴金屬膜層厚度為50-100nm，可以是金或銀薄膜。?

8.按權(quán)利要求1或2所述的納米圓錐形SERS活性基片的快速制備方法，制備硅納米線陣列所需刻蝕液為HF/H2O2/H2O(1∶5∶10)，刻蝕溫度為20-40℃。?

9.按權(quán)利要求1或2所述的納米圓錐形SERS活性基片的快速制備方法，其特征在于，硅納米刻蝕堿液的濃度為0.5-1mol/L，刻蝕時間為2-5分鐘。?