[發明專利]顯示設備的基板及其制造方法有效
| 申請號: | 201310341430.5 | 申請日: | 2013-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN103855168A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 李承龍 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示設備的基板,并且更具體地涉及包括光敏有機絕緣層的基板以及制造該基板的方法。
背景技術
一般來說,可以基于液晶(LC)的光學各向異性和偏振來驅動液晶顯示(LCD)設備。由于LC分子細且長,LC分子可以被布置在特定的方向上,并且通過人工地對LC施加電場可以控制LC分子的布置方向。
也就是說,當使用電場來改變LC分子的布置時,由于在布置LC分子的方向上LC的光學各向異性導致光可以折射,使得可以顯示圖像。
在近年,以矩陣形狀布置TFT和像素電極的有源矩陣LCD(AM-LCD)設備吸引了很多的注意,因為該設備具有高分辨率并且能夠高水平地表現運動圖像。
LCD設備包括具有像素電極的陣列基板、具有公共電極的濾色器基板以及插入在陣列基板和濾色器基板之間的液晶層。陣列基板包括多個像素區,并且薄膜晶體管(TFT)形成在各個像素區中。像素電極通過絕緣層的接觸孔連接到TFT。
通過光刻處理可以形成接觸孔,光刻處理包括涂敷光刻膠(PR)的步驟、通過曝光和顯影來形成PR圖案的步驟以及利用PR圖案作為蝕刻掩膜來蝕刻絕緣層的步驟。
已經研究了這樣的處理,即,其中通過使用諸如光亞克力這樣的光敏有機材料在TFT和像素電極之間形成絕緣層,從而省略了涂敷PR的步驟和蝕刻絕緣層的步驟。
包括PR和光亞克力的光敏有機材料可以根據曝光后在顯影劑中的溶解特性而分類為正類型和負類型。正類型光敏有機材料的曝光部分的溶解度增大,使得曝光部分在顯影后可以被除去,而負類型光敏有機材料的曝光部分的溶解度減小,使得未曝光部分在顯影后可以被除去。
光敏有機材料曝光于從汞(Hg)燈發射的紫外(UV)線。例如,光敏有機材料可以被具有大約365nm的波長的i線形UV線固化。當光掩膜的圖案具有較大尺寸(臨界尺寸)時,衍射的影響較小,使得衍射光的影響可以被最小化。但是,當光掩膜的圖案具有較小尺寸時,光敏有機材料的圖案的形狀會被衍射光扭曲變形。
具體地說,在絕緣層中的接觸孔的尺寸被減小以提高顯示設備的開口率和亮度。由于衍射光所導致的細接觸孔的劣化成為嚴重的問題。
發明內容
因此,本發明致力于一種顯示設備,其基本上消除了由于相關技術的限制和缺點所導致的一個或更多個問題。
本發明的目的是提供一種基板和制造該基板的方法,其中,通過在包括UV吸收劑的光敏有機材料的絕緣層中形成細接觸孔來提高開口率和亮度。
本發明的其它的特征和優點將在隨后的說明中進行闡述,而一部分根據描述會變得清楚,或者可以通過實施本發明而獲知。可以由在所撰寫的說明書及其權利要求書以及附圖中具體指出的結構實現并獲得本發明的上述目的和其它優點。
為了實現這些目的和其它優點,并且根據本文中所具體體現和廣泛描述的發明目的,本發明提供一種顯示設備的基板,其包括:基礎基板;薄膜晶體管,所述薄膜晶體管在所述基礎基板上;光敏有機材料的鈍化層,所述光敏有機材料的鈍化層在所述薄膜晶體管上,所述鈍化層具有露出所述薄膜晶體管的接觸孔,所述光敏有機材料包括紫外線吸收劑;以及像素電極,所述像素電極在所述鈍化層上,并且所述像素電極通過所述接觸孔連接至所述薄膜晶體管。
在另一方面,提供一種制造顯示設備的基板的方法,該方法包括:在基板上形成薄膜晶體管;使用包括紫外線吸收劑的光敏有機材料在薄膜晶體管上形成鈍化層,所述鈍化層具有露出薄膜晶體管的接觸孔;并且在鈍化層上形成像素電極,所述像素電極通過接觸孔連接到薄膜晶體管。
應當理解,上文對本發明的概述與下文對本發明的詳述是解釋性的,并且旨在提供對所要求保護的本發明的進一步解釋。
附圖說明
包括附圖以提供對本發明的進一步的理解,附圖被并入且構成本申請的一部分,附圖例示了本發明的實施方式,并且與說明書一起用于解釋本發明的原理。在附圖中:
圖1是示出了根據本發明的實施方式的光掩膜和絕緣層的接觸孔的示例的視圖,在該接觸孔中顯示有殘余部分;
圖2是示出了根據本發明的實施方式的用于對在接觸孔中造成殘余部分的UV線進行標識的從汞燈發射的光的光譜的示例的視圖;
圖3是示出了根據本發明的實施方式的顯示設備的基板的示例的視圖;
圖4是示出了根據本發明的實施方式的制造顯示設備的基板的方法的示例的視圖;
圖5是示出了根據本發明的實施方式的在顯示設備的基板上的鈍化層的曝光特性的示例的視圖;并且
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





