[發明專利]一種制備多孔性前趨層及吸收層薄膜平坦化的方法

有效

• 申請號: 201310340867.7
• 申請日: 2013-08-07
• 公開（公告）號: CN103400899A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 黃信二
• 申請（專利權）人: 研創應用材料（贛州）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/04;C23C14/34;C23C14/06;C22C1/02
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 楊志宇

1.一種制備多孔性前趨層及吸收層薄膜平坦化的方法，其特征為：首先將Cu、Ga材料放入真空感應熔煉爐中進行熔煉，然后澆鑄在三寸的低碳鋼的模具中，待降溫12小時候脫膜取出靶材胚體經機加工成三寸濺鍍用CuGa靶材備用；另外將In材料放入真空感應熔煉爐中進行熔煉，然后澆鑄在三寸的低碳鋼的模具中，待降溫12小時候脫膜取出靶材胚體經機加工成三寸濺鍍用In靶材備用；然后以無堿玻璃為基板，接著把所需鍍著玻璃基材、CuGa靶材、In靶材放入濺鍍腔體中，先以DC電源濺鍍第一層500nm厚的Mo薄膜，然后濺鍍第二層1000nm厚的CIG吸收層前趨物薄膜，接著將鍍制好薄膜放在硒化爐中進行后硒化，然后取出試片，即得。

2.一種制備多孔性前趨層及吸收層薄膜平坦化的方法，其特征為：前驅物成分重量比例控制為：Cu/(In+Ga)=0.6-0.95、Ga/(In+Ga)=0.2-0.42；首先將重量比例的Cu、Ga材料放入真空感應熔煉爐中進行熔煉，真空度5×10^-2torr，熔解溫度在650℃/15mins，然后澆鑄在三寸的低碳鋼的模具中，待降溫12小時候脫膜取出靶材胚體經機加工成三寸濺鍍用CuGa靶材備用；另外將In材料放入真空感應熔煉爐中進行熔煉，真空度5×10^-2torr，熔解溫度在200℃/15mins，然后澆鑄在三寸的低碳鋼的模具中，待降溫12小時候脫膜取出靶材胚體經機加工成三寸濺鍍用In靶材備用；然后以無堿玻璃為基板，接著把所需鍍著玻璃基材、CuGa靶材、In靶材放入濺鍍腔體中，以真空抽氣系統將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7×10^-5-0.9×10^-5?torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2×10^-3torr，鍍率40nm/min先以DC電源濺鍍第一層500nm厚的Mo薄膜，然后使用工作壓力20×10^-3-30×10^-3torr，鍍率2-6nm/min來濺鍍第二層1000nm厚的CIG吸收層前趨物薄膜，接著將鍍制好薄膜放在硒化爐中進行后硒化，硒化溫度500-650℃，時間10-30mins，硒化后薄膜厚度為1950-2050nm厚，然后取出試片，即得。

3.一種制備多孔性前趨層及吸收層薄膜平坦化的方法，其特征為：前驅物成分重量比例控制為：Cu/(In+Ga)=0.6-0.95、Ga/(In+Ga)=0.2-0.42；首先將重量比例的Cu、In、Ga材料放入真空感應熔煉爐中進行熔煉，真空度5×10^-2torr，熔解溫度在650℃/15mins，然后澆鑄在三寸的低碳鋼的模具中，待降溫12小時候脫膜取出靶材胚體經機加工成三寸濺鍍用CuInGa靶材備用；然后以無堿玻璃為基板，接著把所需鍍著玻璃基材和CuInGa靶材放入濺鍍腔體中，以真空抽氣系統將濺鍍腔體背景壓力抽至0.7×10^-5-0.9×10^-5?torr后，利用氬氣當作工作氣體，透過節流閥將通入氬氣控制濺鍍腔體的工作壓力為2×10^-3torr，鍍率40nm/min先以DC電源濺鍍第一層500nm厚的Mo薄膜，然后使用工作壓力20×10^-3-30×10^-3torr，鍍率2-6nm/min來濺鍍第二層1000nm厚的CIG吸收層前趨物薄膜，接著將鍍制好薄膜放在硒化爐中進行后硒化，硒化溫度500-650℃，時間10-30mins，硒化后薄膜厚度為1950-2050nm厚，然后取出試片，即得。