[發(fā)明專利]一種晶圓套刻的水平方向突變的測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310340596.5 | 申請日： | 2013-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN104347443B | 公開（公告）日： | 2017-02-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李玉華;姚振海 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 江蘇英特東華律師事務(wù)所32229 | 代理人： | 邵鋆 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶圓套刻 水平 方向 突變 測試 方法 | ||
1.一種晶圓套刻的水平方向突變的測試方法，用于晶圓光刻機(jī)臺，其特征是：包括以下步驟，
步驟1，制作套刻標(biāo)準(zhǔn)片，標(biāo)準(zhǔn)片上具有多個(gè)對位點(diǎn)；
步驟2，標(biāo)準(zhǔn)片處理前做一次對位，取得第一次對位數(shù)據(jù)；
步驟3，標(biāo)準(zhǔn)片進(jìn)入需要排查的機(jī)臺做晶圓套刻處理，記錄晶圓缺口處相對機(jī)臺的位置；
步驟4，待排查機(jī)臺處理完的標(biāo)準(zhǔn)片再次做對位，取得第二次對位數(shù)據(jù)；
步驟5，將兩次對位數(shù)據(jù)對比，差值＞0.03/um即視為晶圓水平方向局部突變。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓套刻的水平方向突變的測試方法，其特征是：所述的套刻標(biāo)準(zhǔn)片是具有對位標(biāo)記、經(jīng)過精密蝕刻將對位標(biāo)記固定下來、去掉多余的光阻的晶圓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓套刻的水平方向突變的測試方法，其特征是：所述的步驟2或步驟4中的對位數(shù)據(jù)是對位標(biāo)記在晶圓上實(shí)際位置與理想位置的差異值。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種晶圓套刻的水平方向突變的測試方法，其特征是：所述的對位標(biāo)記具有X方向和Y方向兩個(gè)參考圖案。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
