[發明專利]一種形成接觸孔的方法

有效

• 申請號: 201310340567.9
• 申請日: 2013-08-06
• 公開（公告）號: CN104347486B
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 張海洋;張城龍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種形成接觸孔的方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S101：提供前端器件，所述前端器件包括半導體襯底、位于所述半導體襯底上的金屬柵極和有源區、覆蓋所述金屬柵極與所述有源區的接觸孔刻蝕阻擋層、以及位于所述接觸孔刻蝕阻擋層之上的層間介電層；

步驟S102：對所述層間介電層進行刻蝕，在擬形成接觸孔的位置形成層間介電層的開口，所述層間介電層的開口貫穿所述層間介電層；

步驟S103：對所述接觸孔刻蝕阻擋層進行刻蝕，在所述層間介電層的開口的下方形成接觸孔刻蝕阻擋層的開口，所述接觸孔刻蝕阻擋層的開口貫穿所述接觸孔刻蝕阻擋層，其中，所述接觸孔刻蝕阻擋層的開口和所述層間介電層的開口共同構成了所述接觸孔；

步驟S104：采用基于氯氣的反應氣體對所述金屬柵極進行處理，去除所述金屬柵極表面由于自氧化而形成的金屬氧化物層。

2.如權利要求1所述的形成接觸孔的方法，其特征在于，所述步驟S104包括：

將所述前端器件置于反應室中，向所述反應室內通入基于氯氣的反應氣體，直至所述金屬柵極表面由于自氧化而形成的金屬氧化物層被完全去除。

3.如權利要求1所述的形成接觸孔的方法，其特征在于，在所述步驟S103與所述步驟S104之間還包括如下步驟：

對所述接觸孔進行刻蝕后處理，以去除刻蝕形成所述接觸孔的過程中產生的聚合物。

4.如權利要求3所述的形成接觸孔的方法，其特征在于，所述對所述接觸孔進行刻蝕后處理，所采用的方法包括：采用氮氣和一氧化碳對所述接觸孔進行處理。

5.如權利要求3所述的形成接觸孔的方法，其特征在于，在所述步驟S104之后還包括步驟S105：對所述接觸孔進行濕法清洗。

6.如權利要求5所述的形成接觸孔的方法，其特征在于，在所述步驟S105之后還包括步驟S106：去除位于所述接觸孔底部的所述有源區表面的氧化物層。

7.如權利要求1所述的形成接觸孔的方法，其特征在于，在所述步驟S103與所述步驟S104之間還包括如下步驟：

對所述接觸孔進行刻蝕后處理，以去除刻蝕形成所述接觸孔的過程中產生的聚合物；以及，

對所述接觸孔進行濕法清洗。

8.如權利要求7所述的形成接觸孔的方法，其特征在于，所述對所述接觸孔進行刻蝕后處理，所采用的方法包括：采用氮氣和一氧化碳對所述接觸孔進行處理，或者，采用氨氣對所述接觸孔進行處理。

9.如權利要求7所述的形成接觸孔的方法，其特征在于，在所述步驟S104之后還包括步驟S105’：去除位于所述接觸孔底部的所述有源區表面的氧化物層。

10.如權利要求6或9所述的形成接觸孔的方法，其特征在于，所述去除位于所述接觸孔底部的所述有源區表面的氧化物層，所采用的方法為：采用SiCoNi清洗工藝對位于所述接觸孔底部的所述有源區進行處理。

11.如權利要求1至9任一項所述的形成接觸孔的方法，其特征在于，所述前端器件采用高k金屬柵極技術制得。

12.如權利要求1至9任一項所述的形成接觸孔的方法，其特征在于，所述接觸孔為共享接觸孔。

13.如權利要求1所述的形成接觸孔的方法，其特征在于，所述有源區采用嵌入式鍺硅工藝形成，作為所述有源區的鍺硅層的頂端高于所述半導體襯底