[發(fā)明專利]一種提高氮化鎵基電流擴展的外延結(jié)構(gòu)及其生長方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310340263.2 | 申請日： | 2013-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN103400914A | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 郭麗彬;蔣利民;李剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 合肥彩虹藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230012 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 氮化 電流 擴展 外延 結(jié)構(gòu) 及其 生長 方法 | ||
1.一種提高氮化鎵基電流擴展的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，該外延結(jié)構(gòu)從下向上的順序依次為：襯底、低溫GaN緩沖層、GaN非摻雜層、n型GaN層、n型GaN層n1層、n型AlGaN層、n型GaN層n2層、n型GaN層LN層、多量子阱結(jié)構(gòu)MQW、多量子阱有源層、低溫P型GaN層、P型AlGaN層、高溫P型GaN層和P型接觸層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高氮化鎵基電流擴展的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n型GaN層LN層包括三層：n型GaN層nGaN3-1層、n型AlGaN層和n型GaN層nGaN3-2層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高氮化鎵基電流擴展的外延結(jié)構(gòu)的生長方法，其特征在于，所述n型GaN層LN層的生長步驟如下：
???（1）先生長n型GaN層nGaN3-1層，生長時間在0-8min，生長溫度在1000-1200℃之間，壓力在100-500Torr之間，Ⅴ/Ⅲ比為100-2500；
???（2）接著生長n型AlGaN層，生長時間在1-10min，生長溫度在990-1200℃之間，壓力在100-500Torr之間，Ⅴ/Ⅲ比為10-800；
???（3）最后再生長n型GaN層nGaN3-2層，生長時間在0-8min，生長溫度在1000-1200℃之間，壓力在100-500Torr之間，Ⅴ/Ⅲ比為100-2500。
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