[發(fā)明專利]可撓性基板的表面處理方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310340205.X | 申請(qǐng)日: | 2013-08-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103871971A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 詹立雄;林懷正;江明盛;王志誠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 元太科技工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/84 | 分類號(hào): | H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 可撓性基板 表面 處理 方法 | ||
1.一種可撓性基板的表面處理方法,其特征在于包括:
提供可撓性絕緣基板,該可撓性絕緣基板的表面上具有至少一個(gè)缺陷;以及
對(duì)該可撓性絕緣基板進(jìn)行等離子體刻蝕步驟,以圓滑化該缺陷的輪廓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可撓性基板的表面處理方法,其特征在于其中所述的可撓性絕緣基板的材質(zhì)包括聚苯二甲酸二乙酯、聚亞酰氨或萘二甲酸乙二酯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可撓性基板的表面處理方法,其特征在于其中所述的等離子體刻蝕步驟的電力介于100瓦特至2000瓦特。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可撓性基板的表面處理方法,其特征在于其中所述的等離子體刻蝕步驟的反應(yīng)氣體包括氧氣、氧氣混合六氟化硫或氧氣混合惰性氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可撓性基板的表面處理方法,其特征在于其中所述的等離子體刻蝕步驟的反應(yīng)氣體的流量范圍介于50sccm至1000sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可撓性基板的表面處理方法,其特征在于其中所述的缺陷包括至少一個(gè)凸起或至少一個(gè)凹陷。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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