[發(fā)明專利]一種降低芯片塊擦除時(shí)間的方法和裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310340119.9
• 申請(qǐng)日: 2013-08-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103426475A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張登軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東博觀科技有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/14
• 分類號(hào): G11C16/14
• 代理公司: 北京漢昊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及閃存領(lǐng)域，具體的，涉及一種降低NOR?flash（閃存）塊擦除時(shí)間的裝置和方法。

技術(shù)背景

NOR?FLASH是目前市場(chǎng)上主要的非易失閃存技術(shù)之一，NOR?FLASH的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益。Nor?Flash存儲(chǔ)區(qū)域?yàn)榱斯?jié)約芯片面積，一般都采用物理集中放置，構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)矩陣，然后在邏輯上分成很多塊，這個(gè)結(jié)構(gòu)決定了當(dāng)對(duì)其中一個(gè)塊進(jìn)行擦除操作時(shí)，由于物理上這個(gè)塊和周圍的塊漏區(qū)和源區(qū)是相連的，往往會(huì)對(duì)相鄰的其他塊產(chǎn)生影響。通常，為了避免塊“存儲(chǔ)單元”過(guò)擦除，一般在擦除操作之前，都做一次預(yù)編程，這樣將需要擦除的塊的全部“存儲(chǔ)單元”中是“1”的全部變成“0”，然后再對(duì)需要擦除的塊進(jìn)行擦除操作。由于塊之間的“存儲(chǔ)單元”的漏區(qū)是連接到一起的，導(dǎo)致預(yù)編程操作會(huì)對(duì)相鄰不需要擦除的塊數(shù)據(jù)產(chǎn)生影響，只要影響時(shí)間足夠就改變了“存儲(chǔ)單元”的數(shù)據(jù)。

當(dāng)前業(yè)內(nèi)為了很好的解決這個(gè)問(wèn)題，普遍采用在塊擦除后，對(duì)受到影響的塊進(jìn)行刷新編程操作，這種方式可以解決以上的問(wèn)題，但是刷新編程操作全部受到影響的“存儲(chǔ)單元”需要花費(fèi)大量的時(shí)間，間接增加了芯片的擦除時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提出了一種降低芯片塊擦除時(shí)間的方法，通過(guò)對(duì)擦除后的芯片進(jìn)行隨進(jìn)刷新，不僅有效的減小了擦除對(duì)存儲(chǔ)塊之間的影響，同時(shí)有效的減小了刷新所需時(shí)間。該方法包括如下步驟：

對(duì)需要擦除的存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行預(yù)編程，將該區(qū)域的所有存儲(chǔ)單元都寫為0；

對(duì)需要擦除的存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行擦除，將將該區(qū)域的所有存儲(chǔ)單元都寫為1；

對(duì)閃存內(nèi)其余單元進(jìn)行刷新編程；

其特征在于，所述刷新編程只針對(duì)部分存儲(chǔ)單元進(jìn)行，該存儲(chǔ)單元的地址由隨機(jī)數(shù)產(chǎn)生器隨機(jī)產(chǎn)生。

本發(fā)明還提供一種降低芯片擦除時(shí)間的裝置，該裝置包括：

擦除命令接收模塊，用于接收擦除命令；

預(yù)編程模塊，用于對(duì)需要擦除閃存的存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行預(yù)編程，將該區(qū)域的所有存儲(chǔ)單元都寫為0；

塊擦除模塊，用于對(duì)需要擦除閃存的存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行擦除，將將該區(qū)域的所有存儲(chǔ)單元都寫為1；

隨機(jī)數(shù)生成器，用于隨機(jī)生成需要進(jìn)行刷新編程的存儲(chǔ)單元的地址；

刷新編程模塊，用于對(duì)由隨機(jī)數(shù)生成器所生成的存儲(chǔ)單元的地址進(jìn)行刷新編程。

所述隨機(jī)刷新地址空間比受到影響的地址空間小的多，由于這個(gè)地址空間是一個(gè)隨機(jī)數(shù)，這樣芯片在每次擦除操作中所做的刷新編程的編制地址都是隨機(jī)的，從概率的角度來(lái)看，這個(gè)地址將會(huì)平均分配在芯片受到影響的地址空間中，從而不用每次都對(duì)全部受到串?dāng)_的單元做刷新編程，大大節(jié)約了編程時(shí)間，從而節(jié)約了擦除操作的時(shí)間，提高了芯片的性能。

附圖說(shuō)明

圖1是Nor閃存芯片存儲(chǔ)區(qū)域的部分電路圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)現(xiàn)擦除的流程圖；

圖3是隨機(jī)數(shù)生成器的結(jié)構(gòu)原理圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供了本發(fā)明提出了一種降低芯片擦除時(shí)間的方法，通過(guò)對(duì)擦除后的芯片進(jìn)行隨進(jìn)刷新，不僅有效的減小了擦除對(duì)存儲(chǔ)塊之間的影響，同時(shí)有效的減小了刷新所需時(shí)間。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)描述。

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。

接下來(lái)將根據(jù)圖2所示的流程圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，具體步驟如下：

在步驟S101中，通過(guò)命令接收模塊接收芯片的輸入端口信息，包括擦寫命令和地址信息，解碼電路在接收到這個(gè)信號(hào)后，向預(yù)編程操作模塊和隨機(jī)數(shù)生成器模塊發(fā)送相應(yīng)的命令和數(shù)據(jù)，從而啟動(dòng)塊擦除狀態(tài)機(jī)，同時(shí)產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)模塊啟動(dòng)信號(hào)。

在步驟S110中，根據(jù)S101發(fā)出的開(kāi)始信號(hào)，隨機(jī)數(shù)生成器產(chǎn)生一個(gè)隨機(jī)的數(shù)據(jù)，根據(jù)S108發(fā)出的結(jié)束信號(hào)，復(fù)位隨機(jī)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，以保證每次生成的隨機(jī)數(shù)都是隨機(jī)的。