[發明專利]弛張振蕩器在審
| 申請號: | 201310339533.8 | 申請日: | 2013-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN104242874A | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發明(設計)人: | 羅世明;陸敏 | 申請(專利權)人: | 凌通科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K3/012 | 分類號: | H03K3/012 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默聞 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 振蕩器 | ||
技術領域
本發明是關于一種振蕩器的技術,更進一步來說,本發明是關于一種改善邏輯延遲的弛張振蕩器(Relaxation?Oscillator)。
背景技術
隨著科技的進步,電子技術已經由最早的真空管、晶體管,進展到集成電路芯片。其用途十分的廣泛,也因此,電子產品也漸漸的成為現代人生活中不可或缺的生活必需品。然而,振蕩器更是模擬電路或數字電路中不可或缺的重要元件。弛張振蕩器是屬于振蕩器中,重要的一種。弛張振蕩器常用于電容傳感器以及單芯片功率集成電路。相較于電感、電容振蕩器(LC?Oscillator),弛張振蕩器僅需一種儲能元件。此振蕩器的優點在于,具有較寬的頻率調整范圍,以及高度的線性控制。設計良好的弛張振蕩器應具有穩定性高、可調頻率范圍寬、控制線性度高等特點。
圖1為現有技術的弛張振蕩器的電路圖。請參考圖1,此弛張振蕩器包括由兩個或非門組成的設定-重設閂鎖器(latch)101、反相器102、或非門103、或非門104、第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管MP1、第二P型金屬氧化物半導體場效應晶體管MP2、第三P型金屬氧化物半導體場效應晶體管MP3、第四P型金屬氧化物半導體場效應晶體管MP4、第一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管MN1、第二N型金屬氧化物半導體場效應晶體管MN2、第三N型金屬氧化物半導體場效應晶體管MN3、第四N型金屬氧化物半導體場效應晶體管MN4、第一電容105以及第二電容106。第一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管MN1、第二N型金屬氧化物半導體場效應晶體管MN2、第三P型金屬氧化物半導體場效應晶體管MP3、第四P型金屬氧化物半導體場效應晶體管MP4主要是用來作偏壓(電流源)使用,圖式中的VBP與VBN則分別是P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極偏壓與N型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極偏壓。為了讓所屬技術領域普通技術人員了解,此圖中標示了節點N1、節點N2、節點S3以及節點S4。
為了詳細說明此振蕩器的運作原理,先假設設定-重設閂鎖器101的重設端R、設定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的初始邏輯狀態分別是0、1、1、0。此時,節點S4的電壓為邏輯高電壓,節點S3的電壓則低于第四N型金屬氧化物半導體場效應晶體管MN4的門檻電壓。由于重設端R的邏輯狀態為0,且Q輸出端的邏輯狀態為1,因此,或非門104的輸出端為邏輯低電壓,使得P型金屬氧化物半導體場效應晶體管MP2導通。電容器106被快速的充電到邏輯高電壓,使得設定-重設閂鎖器101的設定端S轉為邏輯低電壓,此時,設定-重設閂鎖器101的重設端R、設定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的邏輯狀態改變為0、0、1、0。
接下來,由于設定-重設閂鎖器101的設定端S與反Q輸出端的邏輯皆為0,使得或非門103的輸出端輸出邏輯高電壓,因此,P型金屬氧化物半導體場效應晶體管MP1截止,電容器105通過N型金屬氧化物半導體場效應晶體管MN1進行放電。當電容器105被放電到邏輯低電壓時,設定-重設閂鎖器101的重設端R、設定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的邏輯狀態被改變為1、0、0、1。由于此時,設定-重設閂鎖器101的設定端S以及其反Q輸出端的邏輯分別是0、1,并且,重設端R以及其Q輸出端的邏輯分別是1、0,因此,或非門103以及或非門104的輸出端皆為邏輯低電壓,P型金屬氧化物半導體場效應晶體管MP1以及MP2也因此導通。此時,電容器105被快速的充電到邏輯高電壓,而設定-重設閂鎖器101的重設端R、設定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的邏輯狀態被改變為0、0、0、1。
接下來,由于設定-重設閂鎖器101的重設端R與Q輸出端的邏輯皆為0,使得第二或非門104的輸出端輸出邏輯高電壓,因此,P型金屬氧化物半導體場效應晶體管MP2截止,電容器106通過N型金屬氧化物半導體場效應晶體管MN2進行放電。當電容器106被放電到邏輯低電壓時,此時,設定-重設閂鎖器101的重設端R、設定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的邏輯狀態又再度變回0、1、1、0。
圖2為現有技術的弛張振蕩器的操作波形圖。請參考圖2,所屬技術領域普通技術人員可以看出,節點N1的電壓與節點N2的電壓雖是反相,但是兩者確有同時為邏輯低電壓的間隙。因此,導致節點S3在節點N1為邏輯低電壓時,并未立刻進行放電,且節點S4在節點N2為邏輯低電壓時,并未立刻進行放電。如此,導致此弛張振蕩器的操作頻率無法提升,相反的,如要得得到相同的頻率,就必須耗費更大的電流。
發明內容
本發明的一目的在于提供一種弛張振蕩器,藉此,提升振蕩器的操作頻率,減少振蕩器內部電路的延遲。
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