[發明專利]先蝕后封芯片正裝三維系統級金屬線路板結構及工藝方法

有效

• 申請號: 201310339322.4
• 申請日: 2013-08-06
• 公開（公告）號: CN103413766A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 梁新夫;梁志忠;林煜斌;王亞琴;張友海
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所(普通合伙) 32210
• 代理人: 唐紉蘭;曾丹

1.一種先蝕后封芯片正裝三維系統級金屬線路板的工藝方法，所述方法包括如下步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預鍍微銅層

步驟三、貼光阻膜作業

在完成預鍍微銅層的金屬基板正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟三完成貼光阻膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續需要進行電鍍的區域圖形；

步驟五、電鍍金屬線路層

在步驟四中金屬基板背面去除部分光阻膜的區域內電鍍上金屬線路層；

步驟六、貼光阻膜作業

在步驟五中金屬基板背面貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟七、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟六完成貼光阻膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續需要進行電鍍的區域圖形；

步驟八、電鍍高導電金屬線路層

在步驟七中金屬基板背面去除部分光阻膜的區域內電鍍上高導電金屬線路層；

步驟九、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟十、環氧樹脂塑封

在金屬基板背面的金屬線路層表面利用環氧樹脂材料進行塑封保護；

步驟十一、環氧樹脂表面研磨

在完成環氧樹脂塑封后進行環氧樹脂表面研磨；

步驟十二、貼光阻膜作業

在完成步驟十一的金屬基板正面和背面貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟十三、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟十二完成貼光阻膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續需要進行蝕刻的區域圖形；

步驟十四、化學蝕刻

將步驟十三中金屬基板正面完成曝光顯影的區域進行化學蝕刻；

步驟十五、電鍍金屬層

在完成步驟十四的金屬基板正面電鍍上金屬層，金屬層電鍍完成后即在金屬基板上形成相應的基島上部和引腳上部；

步驟十六、貼光阻膜作業

在完成步驟十五的金屬基板正面和背面貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟十七、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟十六完成貼光阻膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續需要進行電鍍的區域圖形；

步驟十八、電鍍金屬柱子

在步驟十七中金屬基板正面去除部分光阻膜的區域內電鍍上金屬柱子；

步驟十九、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟二十、涂覆粘結物質

在步驟十五形成的基島上部正面涂覆導電或不導電粘結物質；

步驟二十一、裝片

在步驟二十的導電或不導電物質上植入芯片；

步驟二十二、金屬線鍵合

在芯片正面與引腳正面之間進行鍵合金屬線作業；

步驟二十三、包封

將步驟二十二中的金屬基板正面采用塑封料進行塑封；

步驟二十四、環氧樹脂表面研磨

在完成步驟二十三的環氧樹脂塑封后進行環氧樹脂表面研磨；

步驟二十五、電鍍抗氧化金屬層或被覆抗氧化劑

在完成步驟二十四后的金屬基板表面裸露在外的金屬進行電鍍抗氧化金屬層或被覆抗氧化劑。

2.一種由權利要求1制成的先蝕后封芯片正裝三維系統級金屬線路板結構，其特征在于它包括金屬基板框（1），在所述金屬基板框（1）內設置有基島（2）和引腳（3），在所述基島（2）的正面或背面通過或導電或不導電物質（4）設置有芯片（5），所述芯片（5）正面與引腳（3）正面之間用金屬線（6）相連接，在所述引腳（3）正面或背面設置有導電柱子（7），所述基島（2）外圍的區域、基島（2）和引腳（3）之間的區域、引腳（3）與引腳（3）之間的區域、基島（2）和引腳（3）上部的區域、基島（2）和引腳（3）下部的區域以及芯片（5）、金屬線（6）和導電柱子（7）外均包封有塑封料（8），所述塑封料（8）與導電柱子（7）的頂部齊平，在所述金屬基板框（1）、引腳（3）和導電柱子（7）露出塑封料（8）的表面鍍有抗氧化層或被覆抗氧化劑（9）。