[發明專利]改善柵極側墻間隔氮化物厚度均勻度的方法

在審

• 申請號: 201310339221.7
• 申請日: 2013-08-05
• 公開（公告）號: CN103426741A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 江潤峰;戴樹剛
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種改善柵極側墻間隔氮化物厚度均勻度的方法，應用于柵極工藝中的多晶硅刻蝕后形成的半導體結構中，所述半導體結構包括柵氧層和覆蓋于所述柵氧層上的多晶硅柵極，其特征在于，所述方法包括：

采用原子層氣相沉積工藝于所述半導體結構的表面制備所述半導體結構的側墻間隔氮化物。

2.如權利要求1所述的改善柵極側墻間隔氮化物厚度均勻度的方法，其特征在于，所述氮化物為氮化硅。

3.如權利要求2所述的改善柵極側墻間隔氮化物厚度均勻度的方法，其特征在于，所述方法還包括：

提供一爐管；

將所述半導體結構置于所述爐管中；

在所述爐管中依次通入NH₃氣體、N₂氣體、DCS氣體、N₂氣體，以在所述半導體結構的表面形成一層氮化硅薄膜。

4.如權利要求3所述的改善柵極側墻間隔氮化物厚度均勻度的方法，其特征在于，所述爐管中的環境溫度為450～550℃。

5.如權利要求3所述的改善柵極側墻間隔氮化物厚度均勻度的方法，其特征在于，將所述依次通入NH₃氣體、N₂氣體、DCS氣體、N₂氣體的工藝設定為一個工藝周期。

6.如權利要求5所述的改善柵極側墻間隔氮化物厚度均勻度的方法，其特征在于，通過調節所述工藝周期的數量來控制所述氮化硅薄膜的厚度。

7.如權利要求5所述的改善柵極側墻間隔氮化物厚度均勻度的方法，其特征在于，當所述柵極為若干個時，根據該若干個柵極之間的密度和深寬比，通過調節所述工藝周期的時間長短，以提高所述氮化硅薄膜的臺階覆蓋率。

8.如權利要求3所述的改善柵極側墻間隔氮化物厚度均勻度的方法，其特征在于，所述爐管中設置有至少兩個多孔特氣管路，兩個所述特氣管路分別輸送所述NH₃氣體與所述DCS氣體進入爐管內。

9.如權利要求8所述的改善柵極側墻間隔氮化物厚度均勻度的方法，其特征在于，所述多孔特氣管路上設置有若干間距相等的氣孔，若干個所述氣孔均位于同一直線上。