[發(fā)明專利]先蝕后封芯片倒裝凸點(diǎn)三維系統(tǒng)級(jí)金屬線路板及工藝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310339207.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103400767A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張友海;張凱;廖小景;王亞琴;王孫艷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務(wù)所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐紉蘭;曾丹 |
| 地址: | 214434 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 先蝕后封 芯片 倒裝 三維 系統(tǒng) 金屬 線路板 工藝 方法 | ||
1.一種先蝕后封芯片倒裝凸點(diǎn)三維系統(tǒng)級(jí)金屬線路板的工藝方法,所述方法包括如下步驟:
步驟一、取金屬基板
步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍微銅層
步驟三、貼光阻膜作業(yè)
在完成預(yù)鍍微銅層的金屬基板正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜;
步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域圖形;
步驟五、電鍍金屬線路層
在步驟四中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層;
步驟六、貼光阻膜作業(yè)
在步驟五中金屬基板背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜;
步驟七、金屬基板背面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域圖形;
步驟八、電鍍高導(dǎo)電金屬線路層
在步驟七中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上高導(dǎo)電金屬線路層;
步驟九、去除光阻膜
去除金屬基板表面的光阻膜;
步驟十、環(huán)氧樹脂塑封
在金屬基板背面的金屬線路層表面利用環(huán)氧樹脂材料進(jìn)行塑封保護(hù);
步驟十一、環(huán)氧樹脂表面研磨
在完成環(huán)氧樹脂塑封后進(jìn)行環(huán)氧樹脂表面研磨;
步驟十二、貼光阻膜作業(yè)
在完成步驟十一的金屬基板正面和背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜;
步驟十三、金屬基板正面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟十二完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形;
步驟十四、化學(xué)蝕刻
將步驟十三中金屬基板正面完成曝光顯影的區(qū)域進(jìn)行化學(xué)蝕刻;
步驟十五、貼光阻膜作業(yè)
在完成步驟十四的金屬基板正面和背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜;
步驟十六、金屬基板正面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟十五完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域圖形;
步驟十七、電鍍金屬柱子
在步驟十六中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬柱子;
步驟十八、去除光阻膜
去除金屬基板表面的光阻膜;
步驟十九、裝片
在完成步驟十八的基島和引腳上通過底部填充膠倒裝芯片;
步驟二十、包封
將步驟十九中的金屬基板正面采用塑封料進(jìn)行塑封;
步驟二十一、環(huán)氧樹脂表面研磨
在完成步驟二十的環(huán)氧樹脂塑封后進(jìn)行環(huán)氧樹脂表面研磨;
?步驟二十二、電鍍抗氧化金屬層或被覆抗氧化劑
?在完成步驟二十一后的金屬基板表面裸露在外的金屬進(jìn)行電鍍抗氧化金屬層或被覆抗氧化劑;
步驟二十三、植球
在完成步驟二十二后的金屬柱子頂部植入金屬球。
2.一種由權(quán)利要求1制成的先蝕后封芯片倒裝凸點(diǎn)三維系統(tǒng)級(jí)金屬線路板,其特征在于它包括金屬基板框(1),在所述金屬基板框(1)內(nèi)設(shè)置有基島(2)和引腳(3),在所述基島(2)和引腳(3)的正面通過底部填充膠(4)倒裝有芯片(5),在所述引腳(3)正面設(shè)置有導(dǎo)電柱子(7),所述基島(2)外圍的區(qū)域、基島(2)和引腳(3)之間的區(qū)域、引腳(3)與引腳(3)之間的區(qū)域、基島(2)和引腳(3)上部的區(qū)域、基島(2)和引腳(3)下部的區(qū)域以及芯片(5)和導(dǎo)電柱子(7)外均包封有塑封料(8),所述塑封料(8)與導(dǎo)電柱子(7)的頂部齊平,在所述金屬基板框(1)、引腳(3)和導(dǎo)電柱子(7)露出塑封料(8)的表面鍍有抗氧化層或被覆抗氧化劑(9),在所述導(dǎo)電柱子(7)頂部設(shè)置有金屬球(16)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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