[發(fā)明專利]圖形化方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310338349.1 | 申請日： | 2013-08-05 |
| 公開（公告）號： | CN104347392A | 公開（公告）日： | 2015-02-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張海洋;孟曉瑩 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/308 | 分類號： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖形 方法 | ||
1.一種圖形化方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成待刻蝕層，所述待刻蝕層的材料為硅、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；
在所述待刻蝕層上形成BN薄膜層；
在所述BN薄膜層上形成具有窗口的光刻膠；
以所述光刻膠為掩膜，刻蝕所述BN薄膜層，形成圖形化的BN薄膜層；
以所述圖形化的BN薄膜層為掩膜刻蝕所述待刻蝕層。
2.如權利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，形成BN薄膜層的方法為化學氣相沉積或物理氣相沉積。
3.如權利要求2所述的圖形化方法，其特征在于，所述化學氣相沉積的反應氣體為BCl3和NH3，反應的溫度大于100℃。
4.如權利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，在所述BN薄膜層上形成光刻膠之前，在所述BN薄膜層上形成底部抗反射層，所述光刻膠形成在底部抗反射層上。
5.如權利要求1或4所述的圖形化方法，其特征在于，在所述待刻蝕層上形成BN薄膜層之前，在所述待刻蝕層上形成無定形碳層，所述BN薄膜層形成在無定形碳層上。
6.如權利要求5所述的圖形化方法，其特征在于，在所述待刻蝕層上形成無定形碳層之前，在所述待刻蝕層上形成第一介質抗反射層，所述無定形碳層形成在第一介質抗反射層上。
7.如權利要求5或6所述的圖形化方法，其特征在于，在所述無定形碳層上形成BN薄膜層之前，在所述無定形碳層上形成第二介質抗反射層，所述BN薄膜層形成在第二介質抗反射層上。
8.如權利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，形成具有窗口的光刻膠后，刻蝕所述BN薄膜層前，還包括：對所述窗口的側壁進行平滑處理。
9.如權利要求8所述的圖形化方法，其特征在于，平滑處理的方法為：He或Ar等離子體刻蝕。
10.如權利要求4所述的圖形化方法，其特征在于，所述底部抗反射層為有機底部抗反射層或無機底部抗反射層。
11.如權利要求6所述的圖形化方法，其特征在于，所述第一介質抗反射層為單層結構或疊層結構；
單層結構的第一介質抗反射層為氮氧化硅層或氧化硅層；
疊層結構的第一介質抗反射層為氮氧化硅層和氧化硅層的疊層結構。
12.如權利要求7所述的圖形化方法，其特征在于，所述第二介質抗反射層的材料為單層結構或疊層結構；
單層結構的第二介質抗反射層為氮氧化硅層或氧化硅層；
疊層結構的第二介質抗反射層為氮氧化硅層和氧化硅層的疊層結構。
13.如權利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，所述待刻蝕層的材料為硅，刻蝕后的待刻蝕層為柵極。
14.如權利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，所述待刻蝕層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，刻蝕待刻蝕層后，在待刻蝕層中形成了接觸孔。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
