[發明專利]一種濕法刻蝕工藝的控制方法有效
| 申請號: | 201310337525.X | 申請日: | 2013-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN103441089A | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發明(設計)人: | 陳毅俊;明玉亮 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濕法 刻蝕 工藝 控制 方法 | ||
1.一種濕法刻蝕工藝的控制方法,其特征在于,所述方法包括:
提供需要進行濕法刻蝕工藝的產品;
根據所述產品的數據信息和所述濕法刻蝕工藝的參數信息獲取對該產品進行所述濕法刻蝕工藝的工藝條件;
根據所述濕法刻蝕工藝的參數信息選擇相應的盛放有刻蝕藥液的刻蝕設備;
通過所述刻蝕設備獲取所述刻蝕藥液的使用狀況數據;
判斷所述使用狀況數據是否符合所述工藝條件,以確定是否對所述產品進行所述濕法刻蝕工藝。
2.如權利要求1所述的濕法刻蝕工藝的控制方法,其特征在于,
提供一設備自動化系統,通過所述設備自動化系統獲取所述工藝條件和所述藥液的使用狀況數據。
3.如權利要求2所述的濕法刻蝕工藝的控制方法,其特征在于,提供一錯誤發現及分析系統,由所述錯誤發現及分析系統對所述使用狀況數據是否符合所述工藝條件進行判斷。
4.如權利要求3所述的濕法刻蝕工藝的控制方法,其特征在于,還提供一生產管理系統,所述方法還包括:
所述生產管理系統將所述工藝條件發送給所述設備自動化系統;
所述設備自動化系統向所述刻蝕設備發送需要獲取所述刻蝕設備中藥液的使用狀況數據的信息;
所述刻蝕設備將所述藥液的使用狀況數據的信息回復給所述設備自動化系統;
由所述設備自動化系統將所述工藝條件與所述藥液的使用狀況數據的信息發送給所述錯誤發現及分析系統;
通過錯誤發現及分析系統將所述工藝條件與所述藥液的使用狀況數據進行比對。
5.如權利要求4所述的濕法刻蝕工藝的控制方法,其特征在于,所述方法還包括:
當所述錯誤發現及分析系統判斷所述藥液的使用狀況數據不符合所述產品的工藝條件時,所述錯誤發現及分析系統發送錯誤報告給所述生產管理系統,所述生產管理系統禁止所述濕法刻蝕設備對產品進行工藝。
6.如權利要求1所述的濕法刻蝕工藝的控制方法,其特征在于,所述產品的工藝條件包括對于藥液的生命周期的要求。
7.如權利要求1所述的濕法刻蝕工藝的控制方法,其特征在于,所述產品的工藝條件包括對于藥液的處理產品數量的要求。
8.如權利要求1所述的濕法刻蝕工藝的控制方法,其特征在于,所述藥液的使用狀況數據包括藥液當前的實際使用生命周期數據。
9.如權利要求1所述的濕法刻蝕工藝的控制方法,其特征在于,所述藥液的使用狀況數據包括藥液當前的實際處理產品數量數據。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





