[發明專利]于金屬氧化物半導體場效應晶體管中形成遮蔽柵極的方法

有效

• 申請號: 201310337332.4
• 申請日: 2013-08-05
• 公開（公告）號: CN104347376B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 賴世麒
• 申請（專利權）人: 臺灣茂矽電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 于寶慶,劉春生

1.一種于金屬氧化物半導體場效應晶體管中形成遮蔽柵極的方法，包括步驟：

(a)提供具有至少一溝渠的半導體基板；

(b)于該半導體基板的該溝渠內形成底層柵極氧化物區及遮蔽柵極多晶硅區；

(c)以高溫等離子體沉積、多晶硅回蝕及氧化物回蝕于該遮蔽柵極多晶硅區上形成多晶硅間氧化物區，其中該步驟(c)更包括步驟：

(c1)進行高溫等離子體的氧化物的沉積；

(c2)進行多晶硅掩模的沉積；

(c3)對該多晶硅掩模進行回蝕；

(c4)對該氧化物進行回蝕；以及

(c5)移除該多晶硅掩模及部分的該氧化物，以形成該多晶硅間氧化物區；以及

(d)于該多晶硅間氧化物區上形成柵極氧化物區及柵極多晶硅區。

2.如權利要求1所述的于金屬氧化物半導體場效應晶體管中形成遮蔽柵極的方法，其中該步驟(a)更包括步驟：

(a1)提供該半導體基板；

(a2)于該半導體基板沉積氧化物層；

(a3)于該半導體基板及該氧化物層進行溝渠圖形布建；

(a4)蝕刻該氧化物層；

(a5)進行溝渠圖形布建部分的光刻工藝，以形成該溝渠；以及

(a6)蝕刻該溝渠。

3.如權利要求2所述的于金屬氧化物半導體場效應晶體管中形成遮蔽柵極的方法，其中該氧化物層為硬質掩模層，該步驟(a4)通過濕蝕刻的方式實現，且該步驟(a6)通過干蝕刻的方式實現。

4.如權利要求1所述的于金屬氧化物半導體場效應晶體管中 形成遮蔽柵極的方法，其中該步驟(b)更包括步驟：

(b1)于該溝渠的底部進行柵極氧化物的成長，以形成該底層柵極氧化物區；

(b2)于該底層柵極氧化物區上進行多晶硅的沉積，以形成該遮蔽柵極多晶硅區；以及

(b3)對該遮蔽柵極多晶硅區進行回蝕。

5.如權利要求1所述的于金屬氧化物半導體場效應晶體管中形成遮蔽柵極的方法，其中該步驟(c1)以窄頸的高溫等離子體的該氧化物的懸垂圖形輪廓形成多晶硅止擋區。

6.如權利要求1所述的于金屬氧化物半導體場效應晶體管中形成遮蔽柵極的方法，其中該步驟(c2)于該溝渠內形成空穴。

7.如權利要求1所述的于金屬氧化物半導體場效應晶體管中形成遮蔽柵極的方法，其中該步驟(c3)及該步驟(c4)以選擇性蝕刻的方式實現。

8.如權利要求1所述的于金屬氧化物半導體場效應晶體管中形成遮蔽柵極的方法，其中該多晶硅間氧化物區以自對準的方式形成。

9.如權利要求1所述的于金屬氧化物半導體場效應晶體管中形成遮蔽柵極的方法，其中該步驟(d)更包括步驟：

(d1)于該多晶硅間氧化物區上進行氧化物沉積，以形成該柵極氧化物區；以及

(d2)于該多晶硅間氧化物區及該柵極氧化物區上進行多晶硅沉積，以形成該柵極多晶硅區。