[發明專利]一種多晶硅芯片、多晶硅晶錠及制造多晶硅晶錠的方法

有效

• 申請號: 201310337326.9
• 申請日: 2013-08-05
• 公開（公告）號: CN103628132B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 黃頌修;藍明姿;朱釜萱;黃郁仁
• 申請（專利權）人: 國碩科技工業股份有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B11/00;C30B28/06
• 代理公司: 上海宏威知識產權代理有限公司31250
• 代理人: 金利琴

1.一種多晶硅芯片，其特征在于，包含：

多數晶粒，其具有一長徑及一短徑，其中該多數晶粒的該長徑與該短徑的一比值不大于3。

2.如權利要求1所述的多晶硅芯片，其特征在于，符合該比值尺寸的晶粒所占的面積不小于多晶硅芯片面積的25%。

3.如權利要求1所述的多晶硅芯片，其特征在于，各該晶粒的圓度介于0.4至1.0之間。

4.一種多晶硅晶錠，其特征在于，經切割后形成如權利要求1至3中任一項所述的多晶硅芯片。

5.一種制造多晶硅晶錠的方法，其特征在于，其步驟包含：

提供一模具，該模具的內部具有多數凹穴；

填入一硅料于該模具中；

加熱該模具，以使該硅料熔化而形成一熔融硅，該熔融硅填滿該等凹穴；及

由一定向固化制程冷卻該模具，以使該熔融硅自該等凹穴中開始長晶而形成一多晶硅晶錠。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，該等凹穴設置于該模具的底面。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，該等凹穴為波浪狀凹穴。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，該等波浪狀凹穴的表面所形成的波形的周期為0.05～5cm。

9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，該等波浪狀凹穴的表面所形成的波形的振幅為0.5～5cm。

10.一種制造多晶硅晶錠的方法，其特征在于，其步驟包含：

提供一模具，該模具的內部具有多數凸塊；

填入一硅料于該模具中；

加熱該模具，以使該硅料熔化而形成一熔融硅，該熔融硅填滿該等凸塊間的區域；及

由一定向固化制程冷卻該模具，以使該熔融硅自該等凸塊間的區域中開始長晶而形成一多晶硅晶錠。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，該等凸塊設置于該模具的底面。