[發明專利]一種冗余圖形填充方法有效
| 申請號: | 201310337015.2 | 申請日: | 2013-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN103441096A | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發明(設計)人: | 闞歡;張旭昇;魏芳 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 冗余 圖形 填充 方法 | ||
1.一種冗余圖形填充方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一需要圖形填充的版圖,且該版圖上包括主圖形、空曠區域和非空曠區域,且該非空曠區域包含有多塊空白區域;
采用一種或多種多邊形的冗余圖形對所述空曠區域進行填充;
采用與所述空白區域形狀相適應的冗余圖形對所述非空曠區域進行填充;
其中,根據工藝需求設定一標準距離值d,所述版圖中與所述主圖形之間的距離值大于所述標準距離值d的區域為空曠區域,所述版圖中與所述主圖形之間的距離小于或等于所述標準距離值d的區域為非空曠區域。
2.根據權利要求2所述的填充方法,其特征在于,所述d的范圍為0.1um至100um。
3.根據權利要求1所述的填充方法,其特征在于,對于非空曠區域,將非空曠區域中的每個空白區域各邊向內縮小尺寸a,得到冗余圖形,并將符合條件的冗余圖形進行填充。
4.根據權利要求3所述的填充方法,其特征在于,將所述空白區域各邊向內縮小尺寸a后,
若縮小得到的冗余圖形的最小尺寸b小于該層主圖形計規則中規定的最小冗余圖形尺寸,則予以濾除,不進行處理;
若縮小得到的冗余圖形的最小尺寸b大于或等于該層主圖形規則中規定的最小冗余圖形尺寸,則符合條件并對其進行冗余圖形填充。
5.根據權利要求4所述的填充方法,其特征在于,所述的將空白區域各邊向內縮小的尺寸a的范圍是1nm至50000nm。
6.根據權利要求4所述的填充方法,其特征在于,所述的得到的冗余圖形最小尺寸b的范圍是1nm至20000nm。
7.根據權利要求4所述的填充方法,其特征在于,所述冗余圖形最小尺寸為將非空曠區域中的每個空白區域各邊向內縮小尺寸a后,得到的冗余圖形最短邊長的長度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





