[發明專利]對電壓轉換具有高免疫性的ESD保護電路無效
| 申請號: | 201310336986.5 | 申請日: | 2013-08-05 |
| 公開(公告)號: | CN103579226A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | V·庫茲涅佐夫 | 申請(專利權)人: | 德克薩斯儀器股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 趙蓉民 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 轉換 具有 免疫性 esd 保護 電路 | ||
1.一種保護電路,其包括:
第一端子;
第二端子;
保護晶體管,其具有控制端子并且具有耦合在所述第一端子和所述第二端子之間的電流路徑;
電流鏡,其具有耦合到所述控制端子的輸出端子并且具有輸入端子;以及
延遲電路,其連接在所述第一端子和所述第二端子之間并且具有連接到所述輸入端子的延遲輸出端子。
2.根據權利要求1所述的保護電路,其中所述保護晶體管為n溝道晶體管。
3.根據權利要求1所述的保護電路,其中所述保護晶體管為雙極晶體管。
4.根據權利要求1所述的保護電路,其中所述電流鏡包括:
第一p溝道晶體管,其源極連接到所述第一端子并且柵極連接到漏極端子;以及
第二p溝道晶體管,其源極連接到所述第一端子、柵極連接到所述第一p溝道晶體管的柵極并且漏極連接到所述控制端子。
5.根據權利要求4所述的保護電路,其中所述電流鏡包括:
第一n溝道晶體管,其漏極連接到所述第一p溝道晶體管的漏極并且柵極連接到所述控制端子;以及
第二n溝道晶體管,其漏極連接到所述第二p溝道晶體管的漏極并且柵極連接到所述輸入端子。
6.根據權利要求1所述的保護電路,其中所述延遲電路包括:
電阻器,其連接在所述第一端子和所述延遲輸出端子之間;以及
電容器,其連接在所述延遲輸出端子和所述第二端子之間。
7.根據權利要求1所述的保護電路,其中所述延遲電路包括:
延遲晶體管,其具有連接在所述第一端子和所述延遲輸出端子之間的電流路徑;以及
電容器,其連接在所述延遲輸出端子和所述第二端子之間。
8.根據權利要求1所述的保護電路,其包括連接在所述控制端子和所述第二端子之間的電阻器。
9.一種保護集成電路的方法,其包括:
形成保護晶體管,所述保護晶體管具有控制端子并且具有與所述集成電路并聯耦合的電流路徑;
響應于所述第一保護晶體管的電流路徑兩端的電壓,激活所述保護晶體管;以及
響應于延遲電路,維持所述保護晶體管的激活狀態。
10.根據權利要求9所述的方法,其中形成保護晶體管的步驟包括形成n溝道晶體管。
11.根據權利要求9所述的方法,其中形成保護晶體管的步驟包括形成NPN雙極晶體管。
12.根據權利要求9所述的方法,其包括響應于與電阻器串聯連接并且與所述保護晶體管的電流路徑并聯連接的電容器,激活所述保護晶體管,其中所述電阻器和所述電容器的公共端子連接到所述控制端子。
13.根據權利要求9所述的方法,其中維持激活狀態的步驟包括將來自電流源的電流施加到所述保護晶體管的控制端子。
14.根據權利要求13所述的方法,其中所述電流源為電流鏡。
15.根據權利要求9所述的方法,其中所述延遲電路由電阻器與電容器串聯連接而形成。
16.一種保護電路,其包括:
第一端子;
第二端子;
保護晶體管,其具有控制端子并且具有耦合在所述第一端子和所述第二端子之間的電流路徑;
激活電路,其被設置為響應于所述第一端子和所述第二端子之間的電壓而激活所述保護晶體管;以及
延遲電路,其被設置為維持所述保護晶體管的激活狀態持續預定時間。
17.根據權利要求16所述的保護電路,其包括電流鏡,所述電流鏡具有耦合到所述控制端子的輸出端子并且具有耦合到所述延遲電路的輸入端子。
18.根據權利要求16所述的保護電路,其中所述保護晶體管為n溝道晶體管。
19.根據權利要求16所述的保護電路,其中所述延遲電路包括:
電阻器,其連接在所述第一端子和延遲輸出端子之間;以及
電容器,其連接在所述延遲輸出端子和所述第二端子之間。
20.根據權利要求16所述的保護電路,其中所述延遲電路包括:
延遲晶體管,其具有連接在所述第一端子和延遲輸出端子之間的電流路徑;以及
電容器,其連接在所述延遲輸出端子和所述第二端子之間。
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