[發明專利]一種LED外延片、LED芯片、LED以及制作方法

無效

• 申請號: 201310336679.7
• 申請日: 2013-08-05
• 公開（公告）號: CN103400911A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 吳飛翔;陳家洛;陳立人;余長治
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種LED外延片，包括反射層、襯底和外延層，所述的襯底介于反射層與外延層之間，其特征在于，所述的襯底與外延層之間的界面設有呈周期條形分布的鏤空結構，所述的鏤空結構內的介質為空氣。

2.如權利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述的襯底材料選自藍寶石、碳化硅、硅、砷化鎵、氮化鎵、氮化鋁和尖晶石中的任意一種；所述的外延層材料選自AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN中的任意一種或幾種的結合。

3.如權利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述的鏤空結構的截面呈三角形或梯形或矩形或菱形或圓形或六角形形狀。

4.如權利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述的鏤空結構高度為1.5-1.8μm，鏤空結構截面的最大寬度為3-3.2μm，鏤空結構之間的間距為0.8-1μm。

5.如權利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述的反射層為DBR反射層。

6.一種LED芯片，包括LED外延片，以及依次成形在LED外延片上的透明導電層和連接電極，其特征在于，所述的LED外延片采用如權利要求1-4中任意一項所述的LED外延片。

7.一種LED，包括LED芯片和用于封裝LED芯片的封裝結構，其特征在于，所述的LED芯片采用如權利要求6所述的LED芯片。

8.一種如權利要求1-5之一所述的LED外延片的制作方法，其特征在于，其操作步驟包括：

a）、在襯底上制作SiO₂層；

b）、對上述步驟a）得到的SiO₂層進行光刻工藝處理，在襯底上得到呈周期條形分布的SiO₂圖形；

c）、在分布有SiO₂圖形的襯底面上制作外延層，得到初始LED外延片；

d）、腐蝕上述步驟c）得到的初始LED外延片中的SiO₂圖形，得到所述的呈周期條形分布的鏤空結構；

e）、在上述的步驟a）進行前或進行后、或在步驟c）進行前或進行后，或在步驟d）進行后，在沒有分布SiO₂圖形的襯底面上制作反射層；

f）、完成LED外延片的制作。

9.如權利要求8所述的LED外延片的制作方法，其特征在于，所述的步驟b）包括：

b10）、在所述的SiO₂層上涂覆光刻膠層，并對該光刻膠層進行曝光、顯影，得到具有圖形化光刻膠層的SiO₂層；

b20）、對上述步驟b10）得到的具有圖形化光刻膠層的SiO₂層進行干法或濕法刻蝕，將光刻膠層的圖形轉移到SiO₂層上，襯底上得到呈周期條形分布的SiO₂圖形。

10.如權利要求8所述的LED外延片的制作方法，其特征在于，所述的步驟d）包括：

d10）、切割上述步驟c）得到的初始LED外延片，使得周期條形分布的SiO₂圖形截面位于外延層側面上；

d20）、以位于外延層側面上的SiO₂圖形截面為腐蝕起點，對初始LED外延片中的SiO₂圖形進行腐蝕；

d30）、直至初始LED外延片中的SiO₂圖形被完全腐蝕，得到所述的呈周期條形分布的鏤空結構。