[發明專利]一種半導體器件以及制作半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201310335597.0
• 申請日: 2013-08-02
• 公開（公告）號: CN104347484B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 陳金明
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/28;H01L23/48
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供半導體襯底，所述襯底上形成有晶體管的柵極結構以及位于所述柵極結構兩側的晶體管的源漏區；

在所述半導體襯底上形成層間介質層；

圖案化所述層間介質層以形成露出所述晶體管的源漏區的接觸孔；

執行離子注入工藝，以在所述接觸孔的底部形成離子注入區，其中，所述離子注入區位于所述源漏區中；

采用硅化工藝在所述接觸孔的底部露出的所述離子注入區的表面形成金屬硅化物層，所述硅化工藝包括在所述半導體襯底表面形成金屬層，執行退火工藝使所述金屬層與所述半導體襯底接觸的部分反應生成所述金屬硅化物層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述金屬層之后執行快速熱退火工藝的步驟。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，還包括在執行快速熱退火工藝之后在所述接觸孔中填充金屬層形成金屬插塞的步驟。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，采用化學機械研磨工藝除去接觸孔外的多余的金屬，以使金屬層與所述層間介質層的頂部齊平。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子注入工藝注入的深度大于擬形成的所述金屬硅化物層的深度。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶體管為NFET，執行N型離子注入工藝。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶體管為PFET，執行P型離子注入工藝。