[發明專利]芯片切割方法及芯片封裝方法

有效

• 申請號: 201310335423.4
• 申請日: 2013-08-02
• 公開（公告）號: CN103413785B
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 朱海青;石磊;王洪輝
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種芯片切割方法，其特征在于，包括：

提供晶圓，所述晶圓包括若干芯片和位于芯片之間的切割道，所述芯片 具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，且芯片的第一表面具有接觸焊 盤；

在所述芯片第二表面對應的晶圓表面貼上第一劃片膜；

沿著切割道對晶圓進行第一切割，在不同芯片之間形成貫穿整個晶圓厚 度的溝槽；

在所述溝槽內形成絕緣層；

在溝槽對應的絕緣層內形成貫穿所述絕緣層的通孔，直到暴露出第一劃 片膜，所述通孔的位置與接觸焊盤的位置相對應，所述通孔的數量與接觸焊 盤的數量相對應；

在所述接觸焊盤表面、絕緣層表面和通孔側壁表面形成金屬互連層，利 用所述金屬互連層使得接觸焊盤和通孔側壁相連接；

沿著所述通孔的中心點對所述溝槽內的絕緣層進行第二切割，所述晶圓 被切割成分立的芯片結構，且所述通孔被第二切割后在所述芯片結構的側壁 形成導電槽，其中，所述至少兩個芯片結構堆疊封裝時，利用所述導電槽將 不同芯片結構中的電路電學連接。

2.如權利要求1所述的芯片切割方法，其特征在于，所述絕緣層還覆蓋芯片 的第一表面。

3.如權利要求2所述的芯片切割方法，其特征在于，在形成金屬互連層之前， 去除所述接觸焊盤表面的絕緣層。

4.如權利要求1或2所述的芯片切割方法，其特征在于，所述絕緣層為親水 性樹脂層。

5.如權利要求1或2所述的芯片切割方法，其特征在于，形成所述通孔的方 法為激光刻蝕工藝或干法刻蝕工藝。

6.如權利要求5所述的芯片切割方法，其特征在于，形成所述通孔的方法包 括：對溝槽對應的絕緣層進行第一刻蝕，形成第一通孔，所述第一通孔的 深度小于溝槽對應的絕緣層的總厚度；在晶圓的另一表面對第一通孔對應 位置的絕緣層進行第二刻蝕，將所述絕緣層刻穿，形成所述通孔。

7.如權利要求5所述的芯片切割方法，其特征在于，形成所述通孔的方法包 括：對溝槽對應的絕緣層進行刻蝕，將所述絕緣層刻穿，形成所述通孔。

8.如權利要求1或2所述的芯片切割方法，其特征在于，形成所述金屬互連 層的方法包括：在所述接觸焊盤表面、絕緣層頂部表面和通孔側壁形成金 屬籽晶層，在所述芯片第一表面對應的晶圓表面形成圖形化的光刻膠層， 所述圖形化的光刻膠層定義了接觸焊盤與通孔之間的金屬互連層的位置； 在所述圖形化的光刻膠層暴露出的金屬籽晶層表面形成金屬互連層；依次 去除所述圖形化的光刻膠層及對應位置的金屬籽晶層。

9.一種芯片封裝方法，其特征在于，包括：

提供至少兩個利用權利要求1～8任一項所述的芯片切割方法切割獲得的 芯片結構，所述芯片結構的側壁具有導電槽，將所述芯片結構堆疊設置且堆 疊的芯片結構的導電槽位置相對應；

在所述導電槽內填充導電膠，利用所述導電膠將堆疊的芯片結構中的電 路電學連接。

10.如權利要求9所述的芯片封裝方法，其特征在于，在堆疊的芯片結構之間 設置裝片膜，利用所述裝片膜將不同芯片結構相粘結。