[發明專利]檢測裝置、檢測系統和檢測裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201310335357.0
• 申請日: 2013-08-05
• 公開（公告）號: CN103579271A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 藤吉健太郎;望月千織;渡邊實;橫山啟吾;大藤將人;川鍋潤;和山弘
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 楊小明

技術領域

本發明涉及用于醫療圖像診斷裝置、非破壞性檢查裝置和利用放射線的分析儀的檢測裝置的制造方法、檢測裝置和檢測系統。

背景技術

近年，薄膜半導體制造技術被用于其中諸如薄膜晶體管（TFT）的開關元件與諸如光電轉換元件的轉換元件組合的檢測裝置和放射線檢測裝置。在美國專利No.5619033中討論的具有在開關元件上布置轉換元件的分層結構的像素已被討論，以通過改善轉換元件的孔徑比來改善檢測裝置的靈敏度。美國專利No.5619033進一步討論了具有對于各像素分割與開關元件電連接的轉換元件的電極（稱為單個電極）并且在多個像素之上沒有分離地布置轉換元件的半導體層的分層結構的像素。

在利用薄膜半導體制造技術的檢測裝置的制造過程中，由于外物的污染或處理中的問題，會以一定的概率產生在其轉換元件和TFT中具有缺陷的有缺陷像素。然后，美國專利申請公開No.2004/0159794討論了TFT的漏電極或源電極與信號布線之間的連接被切斷以使有缺陷的像素與信號布線電氣分離的修理技術。美國專利申請公開No.2004/0159794特別討論了通過激光切斷TFT的漏電極或源電極與信號布線之間的連接的激光修理技術。

但是，如果具有不對于各像素分離半導體層的轉換元件的檢測裝置被修理，那么，由于與有缺陷像素相鄰的正常像素在半導體層中與有缺陷像素連接，因此，會由于載流子的移動在正常像素中產生失效。

發明內容

本發明提供即使具有不對于各像素分離半導體層的轉換元件的檢測裝置被修理也能夠防止在正常像素中出現失效的檢測裝置及其制造方法。

一種檢測裝置，包括布置于基板上的多個像素和多個信號布線，其中，所述多個像素中的每一個包含布置于基板上的開關元件和布置于開關元件上的轉換元件，其中所述轉換元件包含布置于開關元件上并與開關元件電連接的第一電極和布置于多個第一電極之上的半導體層，并且其中多個開關元件與多個信號布線電連接，并且，檢測裝置還包括被供給恒定電勢的恒定電勢布線，其中，在多個像素中的一部分像素中，第一電極與恒定電勢布線電連接。

一種檢測裝置的制造方法，包括：執行在基板上形成多個信號布線、與多個信號布線電連接的多個開關元件和被供給恒定電勢的恒定電勢布線的第一步驟；執行形成包含與多個開關元件電連接且在多個開關元件上形成的多個第一電極和在多個第一電極上形成的半導體層的多個轉換元件、并且形成各包含多個開關元件中的一個開關元件和多個轉換元件中的一個轉換元件的多個像素的第二步驟；以及執行電連接多個像素中的一部分像素的轉換元件的第一電極與恒定電勢布線的第三步驟。

從參照附圖對示例性實施例的以下描述，本發明的其它特征和方面將變得清晰。

附圖說明

圖1A是根據第一示例性實施例的檢測裝置的示意性等價電路圖。

圖1B是根據第一示例性實施例的檢測裝置中的像素的示意性頂視圖。

圖2A和圖2B是根據第一示例性實施例的檢測裝置中的一個像素的示意性截面圖。

圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E和圖3F是示出根據第一示例性實施例的檢測裝置的制造方法的示意性截面圖。

圖4A、圖4B和圖4C是示出根據第一示例性實施例的檢測裝置的制造方法的示意性截面圖。

圖5A是根據第二示例性實施例的檢測裝置的示意性等價電路圖。

圖5B是根據第二示例性實施例的檢測裝置中的像素的示意性頂視圖。

圖6A和圖6B是根據第二示例性實施例的檢測裝置中的一個像素的示意性截面圖。

圖7A～7C是示出根據第二示例性實施例的檢測裝置的制造方法的示意性截面圖。

圖8是根據第三示例性實施例的檢測裝置中的像素的示意性頂視圖。

圖9A和圖9B是根據第三示例性實施例的檢測裝置中的一個像素的示意性截面圖。

圖10A～10D是示出根據第三示例性實施例的檢測裝置的制造方法的示意性截面圖。

圖11A和圖11B是示出根據第三示例性實施例的檢測裝置的制造方法的示意性截面圖。

圖12是根據第四示例性實施例的檢測裝置中的像素的示意性頂視圖。

圖13A和圖13B是根據第四示例性實施例的檢測裝置中的一個像素的示意性截面圖。

圖14A～14D是示出根據第四示例性實施例的檢測裝置的制造方法的示意性截面圖。

圖15是示出根據第四示例性實施例的檢測裝置的制造方法的示意性截面圖。