[發明專利]像素結構

有效

• 申請號: 201310335072.7
• 申請日: 2013-08-02
• 公開（公告）號: CN103489872A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 謝秀春;陳亦偉;陳明炎;蘇志中
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

技術領域

本發明是有關于一種像素結構，且特別是有關于一種高開口率(aperture?ratio)的像素結構。

背景技術

近年來，顯示裝置除了追求高對比、廣視角、高色彩飽和度之外，更朝向高解析度發展。特別是，在行動顯示裝置方面，消費者使用行動顯示裝置瀏覽網頁或觀看影音多媒體的習慣逐漸形成，而行動顯示裝置的解析度對觀賞的品質扮演重要的角色。

一般而言，行動顯示裝置的面積不大。為了使行動顯示裝置達到高解析度，設計者需在有限的面積內置入多個像素結構。然而，像素結構中有許多透光度低的膜層(例如資料線、掃描線等所屬的膜層)，當行動顯示裝置中像素結構的數目增加時，行動顯示裝置的開口率也急劇下降。如此一來，行動顯示裝置便需消耗更多的功率在提升顯示亮度上，而不利于行動顯示裝置可使用的時間。因此，如何適當地設計像素結構中各膜層的圖案以達到增加開口率目的，實為研發者所欲達成的目標之一。

發明內容

本發明提供一種像素結構，其具有高開口率。

本發明的像素結構包括半導體圖案、第一絕緣層、第一導體層、第二絕緣層、第二導體層、第三絕緣層以及像素電極。半導體圖案配置于基板上。半導體圖案包括第一接觸區、第二接觸區以及位于第一接觸區與第二接觸區之間的通道區。第一絕緣層覆蓋半導體圖案，并且具有第一下部接觸開口。第一導體層配置于基板上。第一導體層包括重疊于通道區的閘極以及連接于閘極的掃描線。第二絕緣層覆蓋第一導體層并具有第一上部接觸開口。第一上部接觸開口與第一下部接觸開口構成第一接觸開口。第一接觸開口暴露半導體圖案以定義出第一接觸區。第二導體層配置于第二絕緣層上。第二導體層包括相交于掃描線的資料線。資料線接觸于第一接觸開口所暴露出來的第一接觸區。資料線的第一側壁位于第一接觸開口的面積之內。第三絕緣層覆蓋第二導體層。像素電極配置于第三絕緣層上并且電性連接第二接觸區。

在本發明的一實施例中，上述的第一接觸開口的寬度不小于資料線的寬度。

在本發明的一實施例中，上述的第一接觸開口的寬度大于第一接觸區的寬度。

在本發明的一實施例中，上述的資料線的第一側壁重疊于第一接觸開口的邊緣。

在本發明的一實施例中，上述的資料線的第一側壁與第一接觸開口的邊緣相隔一段距離。

在本發明的一實施例中，上述的半導體圖案的第一接觸區具有接觸區側壁。接觸區側壁重疊于資料線的第一側壁，以使接觸區側壁與第一接觸開口的邊緣相隔上述的距離。

在本發明的一實施例中，上述的資料線的第二側壁位于第一接觸開口的面積之內，且第一側壁與第二側壁彼此相對。

在本發明的一實施例中，上述的資料線的第二側壁重疊于第一接觸開口的邊緣。

在本發明的一實施例中，上述的資料線的第二側壁與第一接觸開口的邊緣相隔一距離。

在本發明的一實施例中，上述的半導體圖案的第一接觸區的接觸區側壁與資料線的第一側壁及第二側壁重疊。資料線的第二側壁相對于資料線的第一側壁。

在本發明的一實施例中，上述的第一絕緣層具有第二下部接觸開口。第二絕緣層具有第二上部接觸開口。第二上部接觸開口與第二下部接觸開口構成第二接觸開口而暴露出第二接觸區。第二導體層更包括連接圖案。連接圖案接觸于第二接觸開口所暴露出來的第二接觸區。連接圖案電性連接像素電極。

在本發明的一實施例中，上述的第二接觸開口的寬度不小于連接圖案的寬度。

在本發明的一實施例中，上述的連接圖案的連接圖案側壁重疊于第二接觸開口的邊緣。

在本發明的一實施例中，上述的連接圖案的連接圖案側壁與第二接觸開口的邊緣相隔一段距離。

在本發明的一實施例中，上述的第一導體層更包括電容電極。電容電極重疊于像素電極，以構成儲存電容。

在本發明的一實施例中，上述的資料線具有固定的線寬。

在本發明的一實施例中，上述的半導體圖案更包括鄰接于第一接觸區的周邊區。周邊區被第一絕緣層所覆蓋。第一接觸區被第一接觸開口所暴露。第一接觸區的寬度小于周邊區的寬度。

在本發明的一實施例中，上述的資料線包括與第一接觸區接觸的一接觸部以及鄰接于接觸部的一導線部，而導線部位在第一絕緣層與第二絕緣層上。

在本發明的一實施例中，上述的半導體圖案具有至少一半導體開口。半導體開口位于第一接觸開口內，且半導體開口的部分邊緣重疊于第一側壁。