[發(fā)明專利]發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310334667.0
• 申請日: 2013-08-02
• 公開（公告）號: CN103682017A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設計）人: 樸海進;金敬訓;金東河;李光七;金在勛;尹歡喜
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

1.一種發(fā)光器件，包括：

襯底；

設置在所述襯底上的發(fā)光半導體結構；以及

介于所述發(fā)光半導體結構和所述襯底之間的中間層，

其中：

所述發(fā)光半導體結構包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及介于所述第一導電型半導體層和所述第二導電型半導體層之間的有源層，其中所述有源層具有多量子阱結構，所述多量子阱結構包括含有Al_xGa_(1-x)N(0＜x＜1)的量子勢壘層和含有Al_yGa_(1-y)N(0＜x＜y＜1)的量子阱層的成對結構的至少一個周期，并且所述第一導電型半導體層和所述第二導電型半導體層中的至少一個包含AlGaN；以及

所述中間層包含AlN并且具有形成在所述AlN中的多個氣隙，其中所述氣隙中的至少一些是不規(guī)則排列的，并且所述氣隙的數(shù)目為10⁷/cm²至10¹⁰/cm²。

2.一種發(fā)光器件，包括：

襯底；

設置在所述襯底上的發(fā)光半導體結構；以及

介于所述發(fā)光半導體結構和所述襯底之間的中間層，

其中：

所述發(fā)光半導體結構包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及介于所述第一導電型半導體層和所述第二導電型半導體層之間的有源層，其中所述有源層具有多量子阱結構，所述多量子阱結構包括含有Al_xGa_(1-x)N(0＜x＜1)的量子勢壘層和含有Al_yGa_(1-y)N(0＜x＜y＜1)的量子阱層的成對結構的至少一個周期，并且所述第一導電型半導體層和所述第二導電型半導體層中的至少一個包含AlGaN；以及

所述中間層包含AlN并且具有形成在所述AlN中的多個氣隙，其中所述多個氣隙中的至少一些具有隨機的尺寸。

3.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述氣隙的數(shù)目為10⁷/cm²至10¹⁰/cm²。

4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的發(fā)光器件，其中所述第一導電型半導體層包含Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)，并且所述第二導電型半導體層包含In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)。

5.根據(jù)權利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述量子阱層包含第二導電型摻雜劑。

6.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的發(fā)光器件，其中從所述發(fā)光半導體結構輻射的光的峰值波長在315nm至350nm的范圍內。

7.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的發(fā)光器件，其中所述中間層具有1.5μm至20μm的厚度。

8.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的發(fā)光器件，其中所述氣隙中的每個氣隙具有比所述中間層的厚度小至少1μm的高度。

9.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的發(fā)光器件，其中所述氣隙中的每個氣隙具有0.5μm至19μm的高度。

10.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的發(fā)光器件，其中所述氣隙中的每個氣隙的一端設置為與介于所述襯底和所述中間層之間的界面接觸或者設置為與所述界面間隔開，并且所述氣隙中的每個氣隙的另一端設置在所述中間層中。

11.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光器件，其中形成所述中間層的材料圍繞所述氣隙中的每個氣隙側向生長，以在所述氣隙的所述另一端的上部合并。

12.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光器件，其中圍繞所述氣隙中的每個氣隙側向生長的所述中間層的位錯在所述氣隙的所述另一端的上部合并。

13.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述氣隙中的每個氣隙的一端與所述氣隙的具有最大寬度的區(qū)域之間的距離大于所述具有最大寬度的區(qū)域與所述氣隙的另一端之間的距離。