[發明專利]具有整合型電力供應的裝置

在審

• 申請號: 201310334377.6
• 申請日: 2013-08-02
• 公開（公告）號: CN103633061A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 陳元文;林耀慶;謝素云;劉威;龔順強
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L23/50
• 分類號: H01L23/50;H01L27/142
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體裝置，其包括：

包含具有第一與第二主表面的晶粒襯底的晶粒；以及

設置在該晶粒襯底的該第二主表面下方的電力模塊，其中，該電力模塊透過硅穿孔(TSV)接點電耦合于該晶粒。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，該TSV接點是設置在該晶粒襯底內。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，該第一主表面是有源襯底表面而該第二主表面是無源襯底表面。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，電路組件是設置在該第一主表面上。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中：

該電力模塊包含至少第一與第二端子；以及

該TSV接點是耦合于該第一與第二端子。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，該至少第一與第二端子之一直接接觸該晶粒襯底的該第二主表面。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，該電力模塊包含鋰電池、太陽能電池或鎳金屬氫化物(NiMH)電池。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括設置于該晶粒與該電力模塊之間具有第一與第二表面的插入件。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，該TSV接點是設置于該插入件內。

10.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，該晶粒是設置在該第一插入件表面上而該電力模塊是設置在該第二插入件表面上。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，該晶粒是通過該晶粒襯底內的TSV接點或第一插入件表面上的凸塊連接件耦合至該插入件。

12.一種用于形成半導體裝置的方法，其包括：

提供包含具有第一與第二主表面的晶粒襯底的晶粒；以及

提供在該晶粒襯底的該第二主表面下方的電力模塊，其中，該電力模塊是透過硅穿孔(TSV)接點電耦合至該晶粒。

13.根據權利要求11所述的方法，其包括在該晶粒襯底內形成該TSV接點。

14.根據權利要求11所述的方法，其包括在該晶粒與該電力模塊之間提供插入件。

15.根據權利要求13所述的方法，其包括在該插入件內形成該TSV接點。

16.一種用于形成半導體裝置的方法，其包括：

提供具有第一與第二主表面的晶圓；以及

提供在該晶圓的該第二主表面下方的電力模塊，其中，該電力模塊是透過硅穿孔(TSV)接點電耦合至該晶圓。

17.根據權利要求15所述的方法，其中，該晶圓經過處理具有多個晶粒，該多個晶粒在該晶圓的該第一主表面上具有電路組件。

18.根據權利要求16所述的方法，其包括：

在該晶圓內形成TSV接點；以及

薄化該晶圓的該第二主表面以暴露該TSV接點的底部表面。

19.根據權利要求17所述的方法，其中，提供該電力模塊包括在該晶圓的該第二主表面上整體地形成該電力模塊。

20.根據權利要求15所述的方法，其中：

該晶圓作用為插入件晶圓，以及包括

在該插入件晶圓內形成該TSV接點。

21.根據權利要求19所述的方法，還包含在該插入件晶圓的該第一主表面上提供至少一晶粒。