[發(fā)明專利]一種電子電路的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310333483.2
• 申請(qǐng)日: 2013-08-02
• 公開（公告）號(hào): CN103442518A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣海英;李立忠;桂祥;曹雄;陳德智
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海安費(fèi)諾永億通訊電子有限公司;上海芮遠(yuǎn)化學(xué)科技有限公司
• 主分類號(hào): H05K3/18
• 分類號(hào): H05K3/18;C23C18/18;C23C18/06;C25D5/34;C25D5/54;C25D5/02
• 代理公司: 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.?一種電子電路的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）準(zhǔn)備一電路載體，其中，所述電路載體的材料為非金屬材料；

（2）對(duì)所述電路載體的表面根據(jù)所需的電子電路的形狀進(jìn)行選擇性電磁照射，從而在所述電路載體的表面形成照射區(qū)域；

（3）采用酸性或堿性試劑對(duì)所述電路載體的表面進(jìn)行化學(xué)表面調(diào)整處理，使所述照射區(qū)域表面的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生改變，由非極性轉(zhuǎn)變?yōu)橛袠O性，具有吸附膠團(tuán)的功能；對(duì)所述電路載體的表面進(jìn)行化學(xué)活化處理，在所述照射區(qū)域內(nèi)形成一金屬晶核；

（4）再進(jìn)行電鍍或者化鍍工藝，以所述金屬晶核為基礎(chǔ)，沉積若干金屬層，從而在所述照射區(qū)域形成所述電子電路。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子電路的制造方法，其特征在于，所述步驟（3）進(jìn)一步包括如下步驟：

（31）采用稀硫酸對(duì)所述電路載體進(jìn)行表面調(diào)整處理；?

（32）采用鈀活化試劑對(duì)所述電路載體進(jìn)行鈀活化，使金屬鈀附著在所述照射區(qū)域內(nèi)，形成一鈀金屬層，所述鈀金屬層即為所述金屬晶核。

3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電子電路的制造方法，其特征在于，所述稀硫酸的濃度范圍為20%~50%。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子電路的制造方法，其特征在于，所述酸性或堿性試劑為氫氟酸、鉻酸、磷酸、磷酸三鈉、氫氧化銨或氫氧化鉀中的一種。

5.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種電子電路的制造方法，其特征在于，所述氫氟酸、鉻酸、磷酸、磷酸三鈉、氫氧化銨或氫氧化鉀的濃度范圍為10%~50%。

6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子電路的制造方法，其特征在于，所述若干金屬層的材料為銅、鎳、金中的一種或兩種或全部。

7.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子電路的制造方法，其特征在于，所述步驟（4）進(jìn)一步包括如下步驟：

首先，對(duì)所述電路載體進(jìn)行電鍍或化學(xué)鍍，在所述金屬晶核上沉積一鍍銅層；

然后，通過電鍍或化學(xué)鍍?cè)谒鲥冦~層上沉積一鍍鎳層；

最后，通過電鍍或化學(xué)鍍?cè)谒鲦嚱饘賹由铣练e一鍍金層，形成電子電路。

8.?根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的一種電子電路的制造方法，其特征在于，所述電路載體的材料為高分子化合物。

9.?根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子電路的制造方法，其特征在于，所述高分子化合物為塑料、纖維或橡膠。

10.?根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子電路的制造方法，其特征在于，所述電路載體由高分子化合物通過注塑、擠出或者吹塑成型制得。

11.?根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的一種電子電路的制造方法，其特征在于，所述電磁照射采用的是激光照射的方式，所述激光的波長為100-20000納米。