[發(fā)明專利]一種硅通孔內(nèi)通過熱氧化形成超厚絕緣層的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310332952.9
• 申請(qǐng)日: 2013-08-02
• 公開（公告）號(hào): CN103400798A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 靖向萌;于大全
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海海頌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31258
• 代理人: 任益

1.一種硅通孔內(nèi)通過熱氧化形成超厚絕緣層的方法，其特征在于包括以下步驟：

a，提供襯底(10)；

b，在襯底(10)內(nèi)，形成孔(101)以及環(huán)形硅區(qū)域(20)，所述環(huán)形硅區(qū)域(20)環(huán)繞孔(101)同心圓狀分布；

c，將硅襯底(10)表面以及環(huán)形硅區(qū)域(20)內(nèi)外壁表面進(jìn)行氧化，最終使氧化硅填充整個(gè)環(huán)形區(qū)域(20)外側(cè)與硅基體之間，并覆蓋環(huán)形硅區(qū)域(20)內(nèi)表面以及襯底(10)表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅通孔內(nèi)通過熱氧化形成超厚絕緣層的方法，其特征是：通過控制環(huán)形硅區(qū)域(20)的徑向厚度，使得環(huán)形硅區(qū)域(20)完全氧化，最終在孔(101)和襯底(10)之間形成完整的超厚氧化絕緣層(30)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅通孔內(nèi)通過熱氧化形成超厚絕緣層的方法，其特征是：根據(jù)所述徑向厚度，以一定的間隔比例，通過深刻蝕形成周期性的圓環(huán)結(jié)構(gòu)，通過將其氧化，得到一定厚度的氧化絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅通孔內(nèi)通過熱氧化形成超厚絕緣層的方法，其特征是：所述步驟b中，形成孔(101)以及環(huán)形硅區(qū)域(20)的方法為深刻蝕工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅通孔內(nèi)通過熱氧化形成超厚絕緣層的方法，其特征是：所述步驟c中，將硅襯底(10)表面以及環(huán)形硅區(qū)域(20)內(nèi)外壁表面進(jìn)行氧化的方法為熱氧化工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅通孔內(nèi)通過熱氧化形成超厚絕緣層的方法，其特征是：在步驟c之后，通過進(jìn)行金屬電鍍以及背面減薄等工藝形成硅通孔(40)并使其頭部露出以便實(shí)現(xiàn)后續(xù)的互連。