[發(fā)明專利]晶圓傳遞腔室有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310332799.X | 申請日: | 2013-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN104347460B | 公開(公告)日: | 2017-03-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 邱勇;吳佳興 | 申請(專利權)人: | 中微半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/673 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吳世華,林彥之 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳遞 | ||
1.一種晶圓傳遞腔室,與晶圓處理腔室和真空傳輸室組合使用,晶圓通過設于所述真空傳輸室中的一機械手在所述傳遞腔室和處理腔室之間進行傳遞,所述傳遞腔室包括:
一晶圓箱,設置于所述傳遞腔室內部,包括分層隔離的多個分箱部,每一所述分箱部分別存放至少一枚晶圓;
一常閉主閥門,設置于所述傳遞腔室側壁,所述主閥門打開以供所述機械手伸入所述傳遞腔室內;
一驅動機構,其帶動所述晶圓箱在所述傳遞腔室內做垂直方向運動,以供所述機械手抓取臨近于所述主閥門的所述分箱部內晶圓;
至少一密封環(huán),固設于所述傳遞腔室的內側壁上;
至少一密封件,固接于所述晶圓箱上任兩個相鄰所述分箱部之間的箱體外側壁;
其中,所述晶圓箱運動至一所述密封件與一所述密封環(huán)密合的位置時,該密封件與該密封環(huán)將所述傳遞腔室分割為一主腔室和一分腔室,以使所述分腔室內容納至少一所述分箱部,用于對該至少一分箱部內的晶圓進行預處理工藝。
2.如權利要求1所述的晶圓傳遞腔室,其特征在于,所述分腔室位于所述傳遞腔室頂部或底部。
3.如權利要求2所述的晶圓傳遞腔室,其特征在于,所述分腔室端面設有一常閉閥門,該閥門打開以供晶圓裝載入所述分腔室容納的分箱部內、或自所述分腔室容納的分箱部內卸載。
4.如權利要求1至3中任一項所述的晶圓傳遞腔室,其特征在于,所述晶圓箱運動至一所述密封件與一所述密封環(huán)接觸的位置時,所述驅動機構通過固接于所述晶圓箱的該密封件向該密封環(huán)施加一壓力,以使所述密封環(huán)產(chǎn)生彈性形變而密合該密封件與該密封環(huán)。
5.如權利要求4所述的晶圓傳遞腔室,其特征在于,所述密封環(huán)由橡膠制成,所述密封件由有機玻璃或石英制成。
6.如權利要求1所述的晶圓傳遞腔室,其特征在于,所述傳遞腔室包括一個所述密封件和兩個所述密封環(huán),分別為第一密封件、第一密封環(huán)和第二密封環(huán),所述第一密封件位于所述第一密封環(huán)和第二密封環(huán)之間;所述晶圓箱運動至第一位置時,所述第一密封件與第一密封環(huán)密合而將所述傳遞腔室分割為第一主腔室和第一分腔室,所述晶圓箱運動至第二位置時,所述第一密封件與第二密封環(huán)密合而將所述傳遞腔室分割為第二主腔室和第二分腔室。
7.如權利要求6所述的晶圓傳遞腔室,其特征在于,所述晶圓箱運動至所述第一密封件與第一密封環(huán)接觸的位置時,所述驅動機構通過所述第一密封件向第一密封環(huán)施加一壓力,以使所述第一密封環(huán)產(chǎn)生彈性形變而密合所述第一密封件與第一密封環(huán),所述第一位置為所述第一密封件與第一密封環(huán)密合時所述晶圓箱的位置;所述晶圓箱運動至所述第一密封件與第二密封環(huán)接觸的位置時,所述驅動機構通過所述第一密封件向第二密封環(huán)施加一壓力,以使所述第二密封環(huán)產(chǎn)生彈性形變而密合所述第一密封件與第二密封環(huán),所述第二位置為所述第一密封件與第二密封環(huán)密合時所述晶圓箱的位置。
8.如權利要求1所述的晶圓傳遞腔室,其特征在于,所述傳遞腔室包括兩個密封件和兩個密封環(huán),分別為第一密封件、第二密封件、第一密封環(huán)和第二密封環(huán),所述第一、第二密封件位于所述第一密封環(huán)和第二密封環(huán)之間;所述晶圓箱運動至第一位置時,所述第一密封件與第一密封環(huán)密合而將所述傳遞腔室分割為第一主腔室和第一分腔室,所述晶圓箱運動至第二位置時,所述第二密封件與第二密封環(huán)密合而將所述傳遞腔室分割為第二主腔室和第二分腔室。
9.如權利要求8所述的晶圓傳遞腔室,其特征在于,所述晶圓箱運動至所述第一密封件與第一密封環(huán)接觸的位置時,所述驅動機構通過所述第一密封件向第一密封環(huán)施加一壓力,以使所述第一密封環(huán)產(chǎn)生彈性形變而密合所述第一密封件與第一密封環(huán),所述第一位置為所述第一密封件與第一密封環(huán)密合時所述晶圓箱的位置;所述晶圓箱運動至所述第二密封件與第二密封環(huán)接觸的位置時,所述驅動機構通過所述第二密封件向第二密封環(huán)施加一壓力,以使所述第二密封環(huán)產(chǎn)生彈性形變而密合所述第二密封件與第二密封環(huán),所述第二位置為所述第二密封件與第二密封環(huán)密合時所述晶圓箱的位置。
10.如權利要求6至9中任一項所述的晶圓傳遞腔室,其特征在于,所述第一分腔室位于所述傳遞腔室頂部,所述第二分腔室位于所述傳遞腔室底部。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中微半導體設備(上海)有限公司,未經(jīng)中微半導體設備(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310332799.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





