[發(fā)明專利]微晶硅薄膜太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310332660.5
• 申請日: 2013-08-02
• 公開（公告）號: CN103441153A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 張津燕;胡安紅;曲銘浩;郁操;楊少飛;徐希翔
• 申請（專利權）人: 福建鉑陽精工設備有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種微晶硅薄膜太陽能電池的制造方法，包括：提供基板，在所述基板表面沉積導電層，在所述導電層表面沉積至少包括微晶硅電池的電池層，其特征在于：采用分步式階梯沉積法沉積所述微晶硅電池的微晶硅薄膜發(fā)電層。

2.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述分步式階梯沉積法包括步驟：

以低速沉積微晶硅前部漸變層和種子層；

以高速沉積微晶硅層；

以低速沉積微晶硅尾部漸變層。

3.根據(jù)權利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述前部漸變層的沉積采用低功率、低流量、高氫氣/硅烷比例和低壓力，同時功率、流量、氫氣/硅烷比例、壓力沉積分5-10步變化。

4.根據(jù)權利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述前部漸變層的沉積功率為0.01-0.2W/cm²，氣體流量1000-10000sccm，氫氣/硅烷比例為100-300，壓力為1-5Torr。

5.根據(jù)權利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述微晶硅種子層采用高功率、大流量、高氫氣/硅烷比例和高壓力沉積。

6.根據(jù)權利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述微晶硅種子層的沉積功率為0.01-0.2W/cm²，流量為5000-100000sccm，氫氣/硅烷比例為100-200，壓力為2-10Torr。

7.根據(jù)權利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述微晶硅層采用高功率、大流量、中氫氣/硅烷比例和高壓力沉積。

8.根據(jù)權利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述微晶硅層的沉積功率為0.03-0.8W/cm²，流量為5000-100000sccm，氫氣/硅烷比例為50-100，壓力為2-10Torr。

9.根據(jù)權利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述微晶硅尾部漸變層采用高功率、大流量、低氫氣/硅烷比例和高壓力沉積。

10.根據(jù)權利要求9所述的制造方法，其特征在于：所述微晶硅尾部漸變層的沉積功率為0.01-0.2W/cm²，流量為5000-100000sccm，氫氣/硅烷比例為30-80，壓力為2-10Torr。

11.一種微晶硅薄膜太陽能電池，包括基板和位于所述基板表面的第一導電層，在所述第一導電層表面具有至少包括微晶硅電池的電池層，以及在所述電池層表面的第二導電層，其中，所述微晶硅電池包括正電極層、微晶硅薄膜發(fā)電層和負電極層，其特征在于：所述微晶硅薄膜發(fā)電層沿從正電極層到負電極層或從負電極層到正電極層的方向依次包括微晶硅前部漸變層、微晶硅種子層、微晶硅層和微晶硅尾部漸變層。

12.根據(jù)權利要求11所述的微晶硅薄膜太陽能電池，其特征在于：所述微晶硅前部漸變層的厚度為10-100nm。

13.根據(jù)權利要求11所述的微晶硅薄膜太陽能電池，其特征在于：所述微晶硅種子層的厚度為50-200nm。

14.根據(jù)權利要求11所述的微晶硅薄膜太陽能電池，其特征在于：所述微晶硅層的厚度為1-3um。

15.根據(jù)權利要求11所述的微晶硅薄膜太陽能電池，其特征在于：所述尾部漸變層的厚度為100-500nm。

16.根據(jù)權利要求11所述的微晶硅薄膜太陽能電池，其特征在于：所述基板為玻璃或不銹鋼，所述第一和第二導電層為透明導電薄膜，或金屬薄膜/透明導電薄膜復合層。

17.根據(jù)權利要求11所述的微晶硅薄膜太陽能電池，其特征在于：所述電池層為微晶硅電池，或非晶硅/微晶硅疊層電池，或非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池，或非晶硅/微晶硅/微晶硅疊層電池。