[發明專利]多晶硅太陽能電池硅片酸制絨后的清洗工藝

有效

• 申請號: 201310332052.4
• 申請日: 2013-08-02
• 公開（公告）號: CN103394484A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 章圓圓;陳培良;符黎明
• 申請（專利權）人: 常州時創能源科技有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;H01L31/18;H01L21/02;C30B33/10
• 代理公司: 南京匯盛專利商標事務所(普通合伙) 32238
• 代理人: 陳揚

1.多晶硅太陽能電池硅片酸制絨后的清洗工藝，其特征在于，對酸制絨后的多晶硅片，用含氧化劑的酸溶液或堿溶液進行清洗。

2.根據權利要求1所述的清洗工藝，其特征在于，所述酸溶液中配入的氧化劑為NaClO、H₂O₂、NH₄NO₃或HNO₃；所述堿溶液中配入的氧化劑為NaClO、H₂O₂或NH₄NO₃。

3.根據權利要求2所述的清洗工藝，其特征在于，所述酸溶液中配入了0.1%-15%的HF水溶液和1%-15%的HCl水溶液；所述HF水溶液中含有49%的HF，所述HCl水溶液中含有37%的HCl；其中，所述百分比為質量百分比。

4.根據權利要求2所述的清洗工藝，其特征在于，所述堿溶液中配入了0.1%-10%的堿，所述堿包括NaOH和/或KOH；其中，所述百分比為質量百分比。

5.根據權利要求3或4所述的清洗工藝，其特征在于，所述以NaClO為氧化劑的酸溶液或堿溶液中配入了2%-10%的NaClO水溶液，所述NaClO水溶液中含有10%的NaClO；酸溶液清洗溫度為10-30℃；堿溶液清洗溫度為20-50℃。

6.根據權利要求3或4所述的清洗工藝，其特征在于，所述以H₂O₂為氧化劑的酸溶液或堿溶液中配入了5%-10%的H₂O₂水溶液，所述H₂O₂水溶液中含有30%的H₂O₂；酸溶液清洗溫度為10-30℃，堿溶液清洗溫度為30-70℃。

7.根據權利要求3或4所述的清洗工藝，其特征在于，所述以NH₄NO₃為氧化劑的酸溶液或堿溶液中配入了2%-5%的NH₄NO₃；清洗溫度為10-30℃。

8.根據權利要求3所述的清洗工藝，其特征在于，所述以HNO₃為氧化劑的酸溶液中配入了3%-10%的HNO₃水溶液，所述HNO₃水溶液中含有69%的HNO₃；清洗溫度為10-20℃。