[發明專利]一種高功率的半導體斷路開關有效
| 申請號： | 201310331972.4 | 申請日： | 2013-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN103441699A | 公開（公告）日： | 2013-12-11 |
| 發明（設計）人： | 王海洋;謝霖燊;何小平;張國偉;陳維青;陳志強;郭帆;賈偉;李俊娜;湯俊萍;孫鳳榮 | 申請（專利權）人： | 西北核技術研究所 |
| 主分類號： | H02M9/04 | 分類號： | H02M9/04 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710024 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功率 半導體 斷路 開關 | ||
【權利要求書】：
1.一種高功率的半導體斷路開關，其特征在于包括充電電源U、晶閘管Th1、二極管D1,D2,D3、電感L1、電感L2、觸發開關S1、觸發電容C1、主開關RSD、磁開關MS、換流電容C2和回路電感L0；充電電源U的正端通過串聯的晶閘管Th1和二極管D3與回路電感L0連接，回路電感L0的另一端連接充電電源U的負端并接地；電感L1連接于晶閘管Th1與二極管D3的節點和充電電源U的負端；二極管D2、主開關RSD、磁開關MS和換流電容C2的串聯電路與二極管D3并聯；觸發開關S1和電感L2的串聯電路與觸發電容C1和主開關RSD并聯；所述二極管D1與晶閘管Th1反向并聯；所述晶閘管Th1和二極管D3反向連接；所述換流電容C2的負端連接回路電感L0。
2.根據權利要求1所述高功率的半導體斷路開關，其特征在于：所述充電電源U為電容器組、電池組或脈沖發電機。
3.根據權利要求1所述高功率的半導體斷路開關，其特征在于：所述RSD觸發開關S1為MOS管、IGBT開關或晶閘管。
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