[發明專利]一種降解偏二甲肼的惡臭假單胞菌C2及其降解偏二甲肼的方法無效
| 申請號: | 201310331923.0 | 申請日: | 2013-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN103667098A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 譚世語;趙輝;王力;夏本立;郭驊;趙亞楠;黃兆云;劉又暢 | 申請(專利權)人: | 重慶大學 |
| 主分類號: | C12N1/20 | 分類號: | C12N1/20;C02F3/34;C12R1/40;C02F101/38 |
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| 地址: | 400044 *** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 降解 二甲 惡臭 假單胞菌 c2 及其 方法 | ||
1.一種降解偏二甲肼的惡臭假單胞菌C2,其特征在于,該惡臭假單胞菌C2作為降解偏二甲肼的菌種,所述惡臭假單胞菌C2的保藏編號為CGMCC?No.7590。
2.一種利用權利要求1降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
A將惡臭假單胞菌C2的菌種接種于斜面培養基,經培養得到斜面培養物;
B將所述斜面培養物接種于裝有培養液的錐形瓶中培養,得到種子富集液;
C將所述種子富集液投加到膜生物反應器內的活性污泥中,悶曝24~32h后,運行膜生物反應器對偏二甲肼廢水進行處理。
3.根據權利要求2所述的降解偏二甲肼方法,其特征在于,所述步驟A的具體包括:所述惡臭假單胞菌C2的菌種在溫度為20~30℃的斜面培養基中培養10~12h。
4.根據權利要求2所述的降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述步驟B具體包括:所述斜面培養物接種至裝有1L培養液的錐形瓶中,在搖瓶轉速為100~200r/min、溫度為25~35℃的條件下,培養18~24h。
5.根據權利要求2所述的降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述步驟C具體包括:所述種子富集液為膜生物反應器內活性污泥體積百分比的1~20%接種量投加到膜生物反應器內的活性污泥中,悶曝24~32h,運行膜生物反應器對偏二甲肼進行降解。
6.根據權利要求2所述的降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述斜面培養基的原料組分包括:牛肉膏3~5g/L、豆粕1~2g/L、麥芽糖0.5~1.5g/L、磷酸氫二鈉1~2g/L、磷酸二氫鉀0.5~1.5g/L、硫酸亞鐵0.1~0.5g/L、瓊脂10~15g/L。
7.根據權利要求2所述的降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述培養液的原料組分包括:牛肉膏3~5g/L、豆粕1~2g/L、麥芽糖0.5~1.5g/L、磷酸氫二鈉1~2g/L、磷酸二氫鉀0.5~1.5g/L、硫酸亞鐵0.1~0.5g/L。
8.根據權利要求2所述的降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述膜生物反應器運行參數為:流量16L/h,壓力0.02MPa,溶解氧2.5mg/L,水力停留時間18h,污泥濃度10g/L。
9.根據權利要求2所述的降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述偏二甲肼廢水中偏二甲肼的濃度為50mg/L和90mg/L。
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