[發明專利]發光二極管結構

在審

• 申請號: 201310331658.6
• 申請日: 2013-08-01
• 公開（公告）號: CN104347773A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 黃逸儒;羅玉云;吳志凌;黃靖恩;丁紹瀅
• 申請（專利權）人: 新世紀光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/20
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種發光二極管結構，其特征在于，包括：

基板；

半導體外延層，配置于該基板上，且暴露出該基板的一部分；

反射導電結構層，覆蓋部分該半導體外延層以及被該半導體外延層所暴露出的該基板的該部分，其中該反射導電結構層將來自該 半導體外延層的光線朝該基板方向反射；

第一電極，配置于該反射導電結構層上；

第二電極，配置于該反射導電結構層上；以及

連接層，配置于該半導體外延層的一凹陷區域內且電性連接該第一電極與該半導體外延層；

其中，該第一電極配置于該半導體外延層的一第一部分上，該第二電極配置于該半導體外延層的一第二部份上，且該反射導電結構層至少配置于該第一電極與該半導體外延層的該第一部分之間以及該第二電極與該半導體外延層的該第二部分之間；

其中該半導體外延層包括依序配置于該基板上的第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層；

其中該反射導電結構層包括依序配置的透明導電層、反射層以及阻障層，該透明導電層與該阻障層至少位在該第二型半導體層上，該反射層覆蓋部分該半導體外延層以及被該半導體外延層所暴露出的該基板的該部分。

2.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該阻障層的邊緣切齊于該基板的邊緣。

3.根據權利要求2所述的發光二極管結構，其特征在于，該基板具有上表面以及連接該上表面的環狀傾斜面，而該阻障層從該上表面延伸覆蓋于該環狀傾斜面上。

4.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該基板具有上表面以及連接該上表面的環狀傾斜面，而該透明導電層、該反射層以及該阻障層從該上表面延伸覆蓋于該環狀傾斜面上，且該透明導電層的邊緣、該反射層的邊緣以及該阻障層的邊緣切齊于該基板的邊緣。

5.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該基板具有上表面以及連接該上表面的環狀傾斜面，而該透明導電層、該反射層以及該阻障層從該上表面延伸覆蓋于該環狀傾斜面上且收斂至同一位置。

6.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該反射層為布拉格反射鏡。

7.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，還包括：

絕緣層，配置于該基板與該反射導電結構層之間以及該半導體外延層與該反射導電結構層之間。

8.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該凹陷區域將該半導體外延層區分為第一半導體區塊與第二半導體區塊，該第一電極配置于該第一半導體區塊上，該第二電極配置于該第二半導體區塊上。

9.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，還包括：

電性絕緣層，至少配置于該第一電極與該反射導電結構層之間以及該連接層與該反射導電結構層之間。

10.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該第一電極與該連接層的材料不同。