[發明專利]芯片封裝和用于制造芯片封裝的方法

有效

• 申請號: 201310330942.1
• 申請日: 2013-08-01
• 公開（公告）號: CN103762184A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: J.費爾斯特;W.哈特納;J.希爾特賴特;U.瓦赫特
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬紅梅;劉春元

1.一種用于制造芯片封裝的方法，該方法包括：

在芯片側上形成電絕緣材料；

選擇性地移除所述電絕緣材料的至少一部分，由此在所述電絕緣材料中形成溝槽；

將導電材料沉積在所述溝槽中，其中所述導電材料電連接到形成在所述芯片側上的至少一個接觸焊盤；

在所述電絕緣材料上形成導電結構，其中所述導電結構的至少一部分與所述導電材料直接物理和電連接；以及

在所述導電結構上沉積接合結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在芯片側上形成電絕緣材料包括：在芯片側上形成介電層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在芯片側上形成電絕緣材料包括：在形成于所述芯片側上的至少一個接觸焊盤上形成電絕緣材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其中在芯片側上形成電絕緣材料包括：形成包括來自下面的材料組的至少一種材料的電絕緣材料，該材料組由下述各項構成：光敏電介質、聚酰亞胺、聚合物、苯并環丁烯BCB、環氧樹脂。

5.根據權利要求1所述的方法，其中在芯片側上形成電絕緣材料包括：直接在所述芯片側上形成電絕緣材料。

6.根據權利要求1所述的方法，其中在芯片側上形成電絕緣材料包括：在所述芯片側上形成電絕緣材料，其中所述電絕緣材料包括形成在所述芯片側上的最上面的電絕緣層。

7.根據權利要求1所述的方法，其中在芯片側上形成電絕緣材料包括：在形成于所述芯片側上的第一導電層上形成電絕緣材料；

其中所述第一導電層被形成在第一中間導電層上，其中所述第一中間導電層被形成在第一電絕緣層上；

其中所述第一中間導電層的至少一部分與形成在所述芯片側上的至少一個接觸焊盤直接物理和電接觸；并且其中

所述第一導電層經由所述第一中間導電層電連接到所述至少一個接觸焊盤。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述第一導電層包括來自下面的材料組的至少一種材料、元件或合金，該組由下述各項構成：銅、鋁、銀、錫、金、鈀、鋅、鎳、鐵。

9.根據權利要求7所述的方法，其中所述第一中間導電層包括過渡金屬的氮化物、硼化物或碳化物中的至少一個。

10.根據權利要求1所述的方法，其中在芯片側上形成電絕緣材料包括：在一個或多個導電層上形成電絕緣材料，所述一個或多個導電層電連接到形成于所述芯片側上的至少一個接觸焊盤。

11.根據權利要求10所述的方法，其中選擇性地移除所述電絕緣材料的至少一部分由此在所述電絕緣材料中形成溝槽還包括：從所述電絕緣材料選擇性地釋放所述一個或多個導電層的一個或多個部分。

12.根據權利要求1所述的方法，其中選擇性地移除所述電絕緣材料的至少一部分包括：通過來自下面的方法組的至少一種方法來選擇性地移除所述電絕緣材料的至少一部分，所述方法組由下述各項構成：鉆孔、激光鉆孔、蝕刻、離子銑削、顯影。

13.根據權利要求11所述的方法，其中將導電材料沉積在所述溝槽中、其中所述導電材料電連接到形成在所述芯片側上的至少一個接觸焊盤包括：

在從所述電絕緣材料選擇性地釋放的一個或多個導電層的一個或多個部分上沉積導電材料。

14.根據權利要求1所述的方法，其中將導電材料沉積在所述溝槽中、其中所述導電材料電連接到形成在所述芯片側上的至少一個接觸焊盤包括：

利用導電材料來至少部分地填充所述溝槽。

15.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電材料包括來自下面的材料組的至少一種材料、元件或合金，該組由下述各項構成：銅、鎳、鎳摻雜的銅、鈦、碳化鈦、鎢、碳化鎢、氧化鉿、氧化銥。

16.根據權利要求1所述的方法，其中在所述電絕緣材料上形成導電結構、其中所述導電結構的至少一部分與所述導電材料直接物理和電連接包括：

在所述電絕緣材料上形成包括凸塊下金屬化結構的導電結構，其中所述導電結構的至少一部分與所述導電材料直接物理和電連接。