[發明專利]微機電工藝監控結構和監控方法

有效

• 申請號: 201310330739.4
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN103387207A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 汪建平;鄧登峰;胡鐵剛
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號: B81C99/00
• 分類號: B81C99/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種微機電工藝監控結構，其特征在于，包括：襯底；位于所述襯底上的絕緣層；位于所述絕緣層上的多個梳齒狀的第一層多晶硅層；當進行監控時，一參數分析儀的一端連接所述襯底，另一端依次連接多個梳齒狀的第一層多晶硅層，根據所述參數分析儀所測得的參數值，判斷微機電工藝的可靠性。

2.如權利要求1所述的微機電工藝監控結構，其特征在于，進行下列監控中的任意一種或幾種：

當所述參數分析儀從某個梳齒狀的第一層多晶硅層開始均能測出電流，則判定該梳齒狀的第一層多晶硅層的W1值的一半為絕緣層的熏蒸量；

當所述參數分析儀從某個梳齒狀的第一層多晶硅層開始能測出電流，且比該梳齒狀的第一層多晶硅層的W1值小的結構有的能測出電流，有的不能測出電流，則判定絕緣層上存在污染；

當所述參數分析儀從某個梳齒狀的第一層多晶硅層開始均能測出電流，且晶圓上不同位置最先測出電流的梳齒狀的第一層多晶硅層的W1值不同，則判定晶圓上不同位置的絕緣層的熏蒸量不均勻。

3.如權利要求1所述的微機電工藝監控結構，其特征在于，多個梳齒狀的第一層多晶硅層依次排列；且多個梳齒狀的第一層多晶硅層的橫條寬度W1遞減，多個梳齒狀的第一層多晶硅層的橫條間距W2相同。

4.如權利要求3所述的微機電工藝監控結構，其特征在于，每個梳齒狀的第一層多晶硅層上均形成有固定質量塊及通過懸掛元件懸掛于所述固定質量塊上的可動質量塊。

5.如權利要求3或4所述的微機電工藝監控結構，其特征在于，所述梳齒狀的第一層多晶硅層與襯底之間的吸合電壓為5V～10V。

6.一種微機電工藝監控方法，其特征在于，包括：

步驟1：提供如權利要求1-5中任意一項所述的微機電工藝監控結構；

步驟2：將參數分析儀的一端連接襯底，另一端連接一個梳齒狀的第一層多晶硅層，參數分析儀輸出電壓，檢測電流，其中，輸出電壓從零掃描到設定值；

步驟3：記錄檢測電流是否達到設定值，隨后參數分析儀的另一端連接下一個梳齒狀的第一層多晶硅層，重復執行步驟2，并記錄檢測電流是否達到設定值，直至最后一個梳齒狀的第一層多晶硅層。