[發(fā)明專利]微機電工藝監(jiān)控結(jié)構(gòu)和監(jiān)控方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310330739.4
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN103387207A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設計）人: 汪建平;鄧登峰;胡鐵剛
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號: B81C99/00
• 分類號: B81C99/00
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種微機電工藝監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：襯底；位于所述襯底上的絕緣層；位于所述絕緣層上的多個梳齒狀的第一層多晶硅層；當進行監(jiān)控時，一參數(shù)分析儀的一端連接所述襯底，另一端依次連接多個梳齒狀的第一層多晶硅層，根據(jù)所述參數(shù)分析儀所測得的參數(shù)值，判斷微機電工藝的可靠性。

2.如權(quán)利要求1所述的微機電工藝監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，進行下列監(jiān)控中的任意一種或幾種：

當所述參數(shù)分析儀從某個梳齒狀的第一層多晶硅層開始均能測出電流，則判定該梳齒狀的第一層多晶硅層的W1值的一半為絕緣層的熏蒸量；

當所述參數(shù)分析儀從某個梳齒狀的第一層多晶硅層開始能測出電流，且比該梳齒狀的第一層多晶硅層的W1值小的結(jié)構(gòu)有的能測出電流，有的不能測出電流，則判定絕緣層上存在污染；

當所述參數(shù)分析儀從某個梳齒狀的第一層多晶硅層開始均能測出電流，且晶圓上不同位置最先測出電流的梳齒狀的第一層多晶硅層的W1值不同，則判定晶圓上不同位置的絕緣層的熏蒸量不均勻。

3.如權(quán)利要求1所述的微機電工藝監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個梳齒狀的第一層多晶硅層依次排列；且多個梳齒狀的第一層多晶硅層的橫條寬度W1遞減，多個梳齒狀的第一層多晶硅層的橫條間距W2相同。

4.如權(quán)利要求3所述的微機電工藝監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個梳齒狀的第一層多晶硅層上均形成有固定質(zhì)量塊及通過懸掛元件懸掛于所述固定質(zhì)量塊上的可動質(zhì)量塊。

5.如權(quán)利要求3或4所述的微機電工藝監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述梳齒狀的第一層多晶硅層與襯底之間的吸合電壓為5V～10V。

6.一種微機電工藝監(jiān)控方法，其特征在于，包括：

步驟1：提供如權(quán)利要求1-5中任意一項所述的微機電工藝監(jiān)控結(jié)構(gòu)；

步驟2：將參數(shù)分析儀的一端連接襯底，另一端連接一個梳齒狀的第一層多晶硅層，參數(shù)分析儀輸出電壓，檢測電流，其中，輸出電壓從零掃描到設定值；

步驟3：記錄檢測電流是否達到設定值，隨后參數(shù)分析儀的另一端連接下一個梳齒狀的第一層多晶硅層，重復執(zhí)行步驟2，并記錄檢測電流是否達到設定值，直至最后一個梳齒狀的第一層多晶硅層。