[發明專利]一種絕緣柵雙極性晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201310330586.3
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN104347404B
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 鄧小社;芮強;張碩;王根毅
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/265
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司32236
• 代理人: 龐聰雅,茅泉美

1.一種絕緣柵雙極性晶體管的制造方法，其特征在于：包括，

提供第一導電類型的半導體襯底，該半導體襯底具有第一主面和第二主面；

在第一導電類型的半導體襯底的第一主面上生成氧化層；

保護終端光刻、蝕刻、第二導電類型離子注入，同時，第二導電類型的基區光刻、蝕刻、第二導電類型離子注入；

推阱形成保護終端和所述基區；

在該半導體襯底的第一主面基于形成的基區形成絕緣柵雙極性晶體管的包括柵氧化層和多晶硅柵極的剩余第一主面結構，具體的，首先在800℃～850℃時干氧5min,之后根據需要的氧化層厚度進行H₂-O₂合成氧化,再在800℃～850℃干氧氧化3min～5min,最后在860℃～875℃時N₂氣氛中退火20min～30min，形成厚度為的柵氧化層；

在該半導體襯底的第二主面側形成絕緣柵雙極性晶體管的第二主面結構。

2.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法，其特征在于：

其還包括，

在第一導電類型的半導體襯底的第一主面上形成絕緣柵雙極性晶體管的第一主電極；

在半導體襯底的第二主面朝向所述半導體襯底內部形成第二導電類型的第二半導體層；

在第二半導體層形成后的半導體襯底的第二主面上形成與第二半導體層接觸的絕緣柵雙極性晶體管的第二主電極。

3.根據權利要求1～2任一所述的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法，其特征在于：第一導電類型為N型，第二導電類型為P型，所述半導體襯底為N-型襯底，其中N-、N+、P+中的“+”表示摻雜濃度高，“-”表示摻雜濃度低。

4.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法，其特征在于：在所述半導體襯底的第一主面上形成的氧化層的厚度為

5.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極性晶體管的制造方法，其特征在于：推阱形成保護終端是在溫度1100℃～1250℃的條件下高溫推阱20min～2000min。