[發(fā)明專利]晶圓承載裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310330151.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104347466A | 公開(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王堅(jiān);金一諾;王暉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 承載 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路器件制造裝置,尤其涉及一種晶圓承載裝置。
背景技術(shù)
在集成電路器件制造裝置中,晶圓承載裝置用于保持晶圓,以便對(duì)晶圓進(jìn)行工藝處理或僅供暫放晶圓。常見的晶圓承載裝置包括晶圓承載臺(tái)和支撐晶圓承載臺(tái)的承載臺(tái)支柱。以電化學(xué)拋光為例,電化學(xué)拋光腔室內(nèi)設(shè)置有晶圓承載裝置。進(jìn)行電化學(xué)拋光工藝時(shí),機(jī)械手將待拋光晶圓放置在晶圓承載裝置的晶圓承載臺(tái)上,然后,真空夾盤夾持晶圓承載臺(tái)上的晶圓并將晶圓移至電化學(xué)拋光裝置處以進(jìn)行電化學(xué)拋光工藝。電化學(xué)拋光工藝結(jié)束后,真空夾盤將晶圓卸載在晶圓承載臺(tái)上,然后機(jī)械手從晶圓承載臺(tái)上取走晶圓。
這種常見的晶圓承載裝置在使用過程中存在的弊端如下:
晶圓電化學(xué)拋光工藝結(jié)束后,雖然晶圓有經(jīng)過高速旋轉(zhuǎn)甩干,但晶圓表面仍會(huì)殘留一些拋光液,如果不對(duì)這些殘留的拋光液進(jìn)行處理,殘留的拋光液容易在晶圓從電化學(xué)拋光腔室傳輸至清洗腔室過程中污染機(jī)械手和機(jī)械手所在的空間。而目前的晶圓承載裝置不具備處理晶圓表面殘留拋光液的功能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種晶圓承載裝置,該晶圓承載裝置可以對(duì)晶圓進(jìn)行預(yù)清洗,以去除晶圓表面殘留的化學(xué)液。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出的晶圓承載裝置,包括:晶圓承載臺(tái)、支撐晶圓承載臺(tái)的承載臺(tái)支柱、設(shè)置在承載臺(tái)支柱內(nèi)的緩沖裝置和預(yù)清洗裝置。預(yù)清洗裝置包括:能豎直升降的防護(hù)罩、能豎直升降的噴頭及收集槽。防護(hù)罩設(shè)置在晶圓承載臺(tái)的外圍并環(huán)繞晶圓承載臺(tái)。噴頭設(shè)置在晶圓承載臺(tái)的中心軸上。收集槽具有底壁及自底壁向上延伸形成的側(cè)壁,收集槽的底壁及側(cè)壁圍成一空間以放置晶圓承載臺(tái)、承載臺(tái)支柱、緩沖裝置、防護(hù)罩及噴頭。
在一個(gè)實(shí)施例中,收集槽開設(shè)有排液口。
在一個(gè)實(shí)施例中,緩沖裝置為彈簧。
綜上所述,本發(fā)明晶圓承載裝置通過設(shè)置預(yù)清洗裝置,在晶圓卸載至晶圓承載臺(tái)之前,對(duì)晶圓進(jìn)行預(yù)清洗,去除晶圓表面殘留的化學(xué)液,避免殘留的化學(xué)液對(duì)已加工完成的晶圓產(chǎn)生腐蝕,及后續(xù)機(jī)械手取晶圓時(shí),化學(xué)液污染機(jī)械手,從而提高晶圓加工質(zhì)量及延長機(jī)械手的使用壽命。
附圖說明
圖1揭示了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶圓承載裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2揭示了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶圓承載裝置的俯視圖。
圖3揭示了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶圓承載裝置預(yù)清洗晶圓的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4揭示了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶圓承載裝置保持晶圓的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達(dá)成目的及功效,下面將結(jié)合實(shí)施例并配合圖式予以詳細(xì)說明。
參閱圖1和圖2,揭示了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶圓承載裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖以及俯視圖。該晶圓承載裝置100包括晶圓承載臺(tái)110及用于支撐晶圓承載臺(tái)110的數(shù)個(gè)承載臺(tái)支柱120,在本實(shí)施例中,雖然承載臺(tái)支柱120的數(shù)量為3個(gè),但承載臺(tái)支柱120的數(shù)量并不僅限于3個(gè)。每個(gè)承載臺(tái)支柱120內(nèi)均設(shè)置有緩沖裝置130,具體地,該緩沖裝置130為彈簧。在支撐臺(tái)支柱120內(nèi)設(shè)置緩沖裝置130的目的是當(dāng)晶圓承載臺(tái)110承受較重負(fù)載時(shí),緩沖裝置130可以起到緩沖作用,避免因負(fù)載過重導(dǎo)致晶圓承載臺(tái)110及放置晶圓承載臺(tái)110上的晶圓損壞。
晶圓承載裝置100還包括預(yù)清洗裝置,該預(yù)清洗裝置包括收集槽140、防護(hù)罩150及噴頭160。收集槽140具有底壁142及自底壁142向上延伸形成的側(cè)壁141。晶圓承載臺(tái)110、設(shè)置有緩沖裝置130的支撐臺(tái)支柱120、防護(hù)罩150及噴頭160設(shè)置在收集槽140的底壁142及側(cè)壁141圍成的空間內(nèi)。收集槽140的底壁142開設(shè)有排液口(圖中未示)。防護(hù)罩150及噴頭160均可豎直升降。防護(hù)罩150設(shè)置在晶圓承載臺(tái)110的外圍并環(huán)繞晶圓承載臺(tái)110。噴頭160設(shè)置在晶圓承載臺(tái)110的中心軸上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





