[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池模塊及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310329747.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103681913A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊政燁;安英京;樸鳳景;尤里·列別德夫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星SDI株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L31/048 | 分類號(hào): | H01L31/048;H01L31/20 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;劉燦強(qiáng) |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽(yáng)能電池 模塊 及其 制造 方法 | ||
本申請(qǐng)要求于在2012年7月31日在美國(guó)專利商標(biāo)局提交的題為“Thin?Film?Solar?Cell?Module?And?Method?Of?Manufacturing?The?Same”的第61/677,768號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)、在2013年7月30日提交的第13/954,001號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)以及在2013年7月12日提交的第13176312.0號(hào)歐洲專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),出于所有目的將這些申請(qǐng)通過(guò)引用使其全部?jī)?nèi)容包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
實(shí)施例涉及一種薄膜太陽(yáng)能電池模塊及其制造方法。
背景技術(shù)
當(dāng)前,預(yù)計(jì)持續(xù)對(duì)現(xiàn)有能源(諸如石油或煤)的消耗,因此已經(jīng)增加了對(duì)替代能源的關(guān)注。在這些替代能源中,例如通過(guò)使用半導(dǎo)體元件將太陽(yáng)能直接轉(zhuǎn)化為電能的太陽(yáng)能電池被認(rèn)為是下一代能源。
太陽(yáng)能電池可以使用p-n結(jié),并且可以根據(jù)其材料利用諸如單晶太陽(yáng)能電池、多晶太陽(yáng)能電池、非晶硅太陽(yáng)能電池、化合物基太陽(yáng)能電池、燃料敏化太陽(yáng)能電池等的各種裝置,以提高效率和性能。在這些太陽(yáng)能電池中,與發(fā)電效率相比,晶體硅太陽(yáng)能電池會(huì)使用高成本的材料并且會(huì)涉及復(fù)雜的加工工序。因此,對(duì)具有低成本的產(chǎn)品的薄膜太陽(yáng)能電池的關(guān)注增加。
發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例在于一種太陽(yáng)能電池模塊,所述太陽(yáng)能電池模塊包括:基板;下電極,位于基板上;光吸收層,位于下電極上;上電極,位于光吸收層上;保護(hù)層,位于上電極上,保護(hù)層沿光吸收層的側(cè)壁延伸到下電極,保護(hù)層包括吸濕材料。
光吸收層可以包括從CIS材料、CIGS材料、非晶硅材料和CdTe材料的組中選擇的至少一種。
所述太陽(yáng)能電池模塊還可以包括位于下電極上的第一焊帶和第二焊帶,光吸收層和上電極可以位于第一焊帶和第二焊帶之間。
保護(hù)層可以位于第一焊帶和第二焊帶中的每個(gè)焊帶的上表面和側(cè)壁上。
吸濕材料可以是金屬或金屬氧化物。
吸濕材料可以包括從鋁、鎂、錳、鐵、鈣、鋇和鍶的組中選擇的至少一種。
所述太陽(yáng)能電池模塊還可以包括位于保護(hù)層上的覆蓋基板,保護(hù)層的折射率可以在覆蓋基板的折射率到上電極的折射率的范圍內(nèi)。
所述太陽(yáng)能電池模塊還可以包括位于覆蓋基板和保護(hù)層之間的包封層,包封層接觸所述基板。
包封層可以包括從乙烯乙酸乙烯酯共聚物樹(shù)脂、聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂、乙烯乙酸乙烯酯部分氧化物樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、酯類樹(shù)脂和烯烴類樹(shù)脂的組中選擇的至少一種。
實(shí)施例還在于一種制造太陽(yáng)能電池模塊的方法,所述方法包括下述步驟:在基板上形成下電極;在下電極上形成光吸收層;在光吸收層上形成上電極;以及在上電極上形成保護(hù)層,保護(hù)層被形成為沿光吸收層的側(cè)壁延伸到下電極,保護(hù)層包括吸濕材料。
形成保護(hù)層的步驟可以包括:去除光吸收層和上電極的一部分,以暴露下電極的一部分;在下電極的暴露的部分上形成保護(hù)層。
光吸收層可以包括從CIS材料、CIGS材料、非晶硅材料和CdTe材料的組中選擇的至少一種。
所述方法還可以包括在下電極上形成第一焊帶和第二焊帶,光吸收層和上電極可以位于第一焊帶和第二焊帶之間。
形成第一焊帶和第二焊帶的步驟可以包括:去除保護(hù)層的一部分,以暴露下電極的第一部分和第二部分;在下電極的相應(yīng)的第一部分和第二部分上形成第一焊帶和第二焊帶。
保護(hù)層可以形成在第一焊帶和第二焊帶中的每個(gè)焊帶的上表面和側(cè)壁上。
吸濕材料可以是金屬或金屬氧化物。
所述方法還可以包括在保護(hù)層上設(shè)置覆蓋基板,保護(hù)層的折射率可以在覆蓋基板的折射率到上電極的折射率的范圍內(nèi)。
吸濕材料可以是金屬氧化物,并且形成保護(hù)層的步驟可以包括在沉積金屬氧化物時(shí)調(diào)節(jié)氧分壓。
所述方法可以還包括在覆蓋基板和保護(hù)層之間形成包封層,包封層接觸所述基板。
所述包封層可以包括從乙烯乙酸乙烯酯共聚物樹(shù)脂、聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂、乙烯乙酸乙烯酯部分氧化物、硅樹(shù)脂、酯類樹(shù)脂和烯烴類樹(shù)脂的組中選擇的至少一種。
附圖說(shuō)明
通過(guò)參照附圖對(duì)示例實(shí)施例進(jìn)行的詳細(xì)描述,對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō),特征將變得明顯,在附圖中:
圖1示出根據(jù)示例實(shí)施例的薄膜太陽(yáng)能電池模塊的示意性剖視圖;
圖2示出圖1中的薄膜太陽(yáng)能電池模塊的光反射率的曲線圖;
圖3到圖9示出根據(jù)示例實(shí)施例的在制造圖1中的薄膜太陽(yáng)能電池模塊的方法中的各步驟的剖視圖;
圖10示出根據(jù)另一示例實(shí)施例的圖1中的薄膜太陽(yáng)能電池模塊的變型示例;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星SDI株式會(huì)社,未經(jīng)三星SDI株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310329747.7/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過(guò)程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法





