[發(fā)明專利]一種CMOS圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu)及該圖像傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310329325.X | 申請日: | 2013-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN103391408A | 公開(公告)日: | 2013-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭同輝;陳杰;劉志碧;唐冕;曠章曲 | 申請(專利權(quán))人: | 北京思比科微電子技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號: | H04N5/374 | 分類號: | H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11260 | 代理人: | 鄭立明;趙鎮(zhèn)勇 |
| 地址: | 100085 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 cmos 圖像傳感器 像素 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種CMOS圖像傳感器的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,該像素結(jié)構(gòu)包括:
四個像素,排列為2×2像素矩陣式陣列結(jié)構(gòu);該陣列結(jié)構(gòu)中的每一像素均設(shè)有一光電二極管以及與該光電二極管連接的電荷傳輸晶體管,每一列的兩個像素共享行選擇晶體管、源跟隨晶體管、復(fù)位晶體管及漂浮有源區(qū);
其中,每一列共享的漂浮有源區(qū)分別與該列兩個像素的電荷傳輸晶體管,以及該列的源跟隨晶體管和復(fù)位晶體管相連;該列的行選擇晶體管與該列的源跟隨晶體管相連;該列的復(fù)位晶體管與該列的行選擇晶體管通過該列像素的信號輸出線相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述信號輸出線的制作工藝中使用金屬1層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,該像素結(jié)構(gòu)還包括:
網(wǎng)格狀電源線,該電源線分別與第一列、第二列中共享的復(fù)位晶體管相連,以及第一列、第二列中共享的源跟隨晶體管相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述電源線的制作工藝中使用金屬2層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,該像素結(jié)構(gòu)還包括:四根縱向排布的時序輸出控制線;其中,控制線T1分別與第二行的兩個像素內(nèi)部的電荷傳輸晶體管相連;控制線T2分別與第一行的兩個像素內(nèi)部的電荷傳輸晶體管相連;控制線S與第一列共享的行選擇晶體管相連;控制線S’與第二列共享的行選擇晶體管相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述時序輸出控制線的制作工藝中使用金屬0層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,該像素結(jié)構(gòu)還包括:
將第一列像素中共享的行選擇晶體管與源跟隨晶體管設(shè)置于該列像素的頂部,將第二列像素中共享的行選擇晶體管與源跟隨晶體管設(shè)置于該列像素的底部;
或者,將第一列像素中共享的行選擇晶體管與源跟隨晶體管設(shè)置于該列像素的底部,將第二列像素中共享的行選擇晶體管與源跟隨晶體管設(shè)置于該列像素的頂部。
8.一種CMOS圖像傳感器,其特征在于,該圖像傳感器包括:若干個權(quán)利要求1-7任一項所述的像素結(jié)構(gòu)、列控制器、行譯碼器、信號讀取器與信號處理模塊;
其中,所述若干個權(quán)利要求1-7任一項所述的像素結(jié)構(gòu)排列為m×n像素矩陣式陣列結(jié)構(gòu);所述行譯碼器設(shè)于該陣列結(jié)構(gòu)的側(cè)面,所述列控制器與信號讀取器分別設(shè)于該陣列結(jié)構(gòu)的上下兩端;所述信號處理模塊與所述信號讀取器相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其特征在于,所述圖像傳感器中的行譯碼器與陣列結(jié)構(gòu)像素中縱向排布的時序輸出控制線相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其特征在于,所述圖像傳感器中的列控制器與信號讀取器分別與陣列結(jié)構(gòu)像素中的信號輸出線相連。
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