[發明專利]一種CMOS圖像傳感器的像素結構及該圖像傳感器

有效

• 申請號: 201310329255.8
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN103391407A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 郭同輝;陳杰;劉志碧;唐冕;曠章曲
• 申請（專利權）人: 北京思比科微電子技術股份有限公司
• 主分類號: H04N5/374
• 分類號: H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260
• 代理人: 鄭立明;趙鎮勇

1.一種CMOS圖像傳感器的像素結構，其特征在于，該像素結構包括：

四個像素，排列為三行兩列陣列結構，第一列上端的像素與第二列下端的像素位于同一行中；該陣列結構中的每一像素均設有一光電二極管以及與該光電二極管連接的電荷傳輸晶體管，每一列的兩個像素共享行選擇晶體管、源跟隨晶體管、復位晶體管及漂浮有源區；

其中，每一列共享的漂浮有源區分別與該列兩個像素的電荷傳輸晶體管，以及該列的源跟隨晶體管和復位晶體管相連；該列的行選擇晶體管與該列的源跟隨晶體管相連；該列的復位晶體管與該列的行選擇晶體管通過該列像素的信號輸出線相連。

2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述信號輸出線的制作工藝中使用金屬1層。

3.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該像素結構還包括：

網格狀電源線，該電源線分別與第一列、第二列中共享的復位晶體管相連，以及第一列、第二列中共享的源跟隨晶體管相連。

4.根據權利要求3所述的像素結構，其特征在于，所述電源線的制作工藝中使用金屬2層。

5.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該像素結構還包括：五根縱向排布的時序輸出控制線；其中，控制線T1與第一列下端像素內部的電荷傳輸晶體管相連；控制線T2分別與第一列上端像素及第二列下端像素內部的電荷傳輸晶體管相連；控制線T3與第二列上端像素內部的電荷傳輸晶體管相連；控制線S1與第一列共享的行選擇晶體管相連；控制線S2與第二列共享的行選擇晶體管相連。

6.根據權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述時序輸出控制線的制作工藝中使用金屬0層。

7.一種CMOS圖像傳感器，其特征在于，該圖像傳感器包括：若干個權利要求1-6任一項所述的像素結構、列控制器、行譯碼器、信號讀取器以及信號處理模塊；

其中，所述若干個權利要求1-6任一項所述的像素結構排列為m×n像素陣列結構；所述行譯碼器設于該陣列結構的側面，所述列控制器與信號讀取器分別設于該陣列結構的上下兩端；所述信號處理模塊與所述信號讀取器相連。

8.根據權利要求7所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器中的行譯碼器與陣列結構像素中縱向排布的時序輸出控制線相連。

9.根據權利要求7所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器中的列控制器與信號讀取器分別與陣列結構像素中的信號輸出線相連。