[發明專利]發光裝置在審
| 申請號: | 201310328799.2 | 申請日: | 2013-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN103682068A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 尹汝贊;鄭在桓;嚴允植;許起綠;金鎮成 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春暉;李德山 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 | ||
1.一種發光裝置,包括:
主體,其包括彼此相對的第一側面部分和第二側面部分、彼此相對的第三側面部分和第四側面部分、以及具有開放的上部的腔;
第一引線框架,其被布置在所述腔的下表面上,并且向所述主體的所述第一側面部分延伸;
第二引線框架,其被布置在所述腔的下表面上,并且向所述主體的所述第二側面部分延伸;
間隙部分,其被布置在所述第一引線框架和所述第二引線框架之間;以及
模塑組件,其在所述腔內;
其中,所述第一引線框架包括第一凹陷部分和第二凹陷部分,其中所述第一凹陷部分以第一深度從所述間隙部分向所述主體的所述第一側面部分凹陷,所述第二凹陷部分以第二深度在與所述主體的所述第一側面部分相鄰的區域內凹陷;
所述第一凹陷部分的所述第一深度與所述第二凹陷部分的所述第二深度不同;
所述腔包括第一內表面和第二內表面,其中所述第一內表面與發光芯片相鄰,所述第二內表面以大于所述第一內表面與所述發光芯片之間的間隔的間隔與所述發光芯片間隔開,并且與所述第一內表面相對布置;并且
所述第二內表面的寬度小于所述第一內表面的寬度以及所述發光芯片的至少一個側面的寬度。
2.如權利要求1所述的發光裝置,其中,所述腔還包括:第三內表面和第四內表面,所述第三內表面和所述第四內表面與所述第一內表面相連,并且在所述發光芯片的兩側彼此相對;所述第二內表面和所述第三內表面之間的第五內表面;以及所述第二內表面和所述第四內表面之間的第六內表面。
3.如權利要求2所述的發光裝置,還包括保護芯片,其被布置在所述第二引線框架上,并且被布置在所述主體的所述第一至第四側面部分中的至少一個與所述腔之間。
4.如權利要求3所述的發光裝置,其中,所述保護芯片被布置在所述腔的所述第五內表面和所述第六內表面中的至少一個與所述主體的所述第二側面部分和所述第三側面部分中的至少一個之間。
5.如權利要求1至4中任一項所述的發光裝置,其中,所述第一凹陷部分的所述第一深度是所述第二凹陷部分的所述第二深度的兩倍或更多倍,或者所述第一深度在所述第一引線框架的長度的30%至60%的范圍內。
6.如權利要求1至4中任一項所述的發光裝置,其中,所述間隙部分延伸到所述第一凹陷部分內,并且所述間隙部分的下表面的寬度是所述間隙部分的上表面的寬度的兩倍或更多倍。
7.如權利要求1至4中任一項所述的發光裝置,其中,所述第一引線框架與所述主體的所述第一側面部分相鄰,并且延伸至彼此相對的所述第三側面部分和所述第四側面部分的下部,并且所述第一凹陷部分的寬度等于所述主體的所述第三側面部分和所述第四側面部分之間的間隔。
8.如權利要求1至4中任一項所述的發光裝置,其中,所述第一引線框架的下表面的面積比所述第一引線框架的上表面的面積小所述第一引線框架的所述上表面的面積的30%或更多。
9.如權利要求8所述的發光裝置,其中,所述第一引線框架還包括介于所述第一凹陷部分和所述第二凹陷部分之間的第一引線區域,并且所述第一引線區域暴露于所述主體的下表面,并且所述第二引線框架包括與所述間隙部分相鄰的第二引線區域,并且所述第二引線區域暴露于所述主體的所述下表面。
10.如權利要求1至4中任一項所述的發光裝置,其中,所述第二引線框架還包括第三凹陷部分,所述第三凹陷部分被布置在與所述主體的所述第二側面部分相鄰的區域處、并且以朝向所述間隙部分的第三深度布置,并且所述第二凹陷部分的所述第二深度等于所述第三凹陷部分的所述第三深度。
11.如權利要求1至4中任一項所述的發光裝置,其中,所述第一引線框架還包括在所述主體的所述第一側面部分、所述第三側面部分和所述第四側面部分上暴露的第一至第三突起,所述第二引線框架包括在所述主體的所述第二側面部分、所述第三側面部分和所述第四側面部分上暴露的第四至第六突起,并且所述第一至第六突起與所述主體的下表面間隔開。
12.如權利要求2至4中任一項所述的發光裝置,其中,所述腔的所述第二內表面的寬度是所述第一內表面的寬度的1/2.5倍至1/3.5倍。
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