[發明專利]一種透明導電膜

有效

• 申請號: 201310328558.8
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN104347154B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 程傳新;陳春明;劉升升;鄭建軍
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲光科技有限公司;深圳歐菲光科技股份有限公司;蘇州歐菲光科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;G06F3/044
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 劉芳

技術領域

本發明涉及一種透明導電膜，屬于電子顯示技術導電膜領域，尤其涉及一種用于觸摸屏的透明導電膜。

背景技術

透明導電膜是具有良好導電性及在可見光波段具有高透光率的一種薄膜。目前透明導電膜已廣泛應用于平板顯示、光伏器件、觸控面板和電磁屏蔽等領域，具有極其廣闊的市場空間。

在觸摸屏的制作領域，透明導電膜作為觸摸屏中接收觸摸等輸入信號的感應元件，因此是保證和提升觸摸屏性能的重要元件。目前，觸摸屏中多使用ITO（氧化銦錫）薄膜，作為導電層的ITO層是透明導電膜中至關重要的組成部分。雖然觸摸屏的制造技術一日千里的飛速發展著，但是以投射式電容屏為例，ITO層的基礎制造流程近年來并未發生太大的改變，不可避免的需要在基底上形成ITO膜以及圖形化。但是，銦是一種昂貴的金屬材料，ITO膜作為導電層，很大程度上提升了觸摸屏的成本，而且ITO導電層在圖形化工藝中，需將整面ITO膜層通過掩膜蝕刻以形成圖案，這樣大量的ITO膜被蝕刻掉，也造成貴金屬的嚴重浪費及污染。

另一方面，透明導電薄膜的制作中，導電層與引線電極的連接是通過一次成型工藝完成，即：先將導電層延伸到不可視區，然后直接在該不可視區的導電層網格上形成引線電極，實現導電層與引線電極的電連接。這種導電層與引線電極的連接方式，會由于引線處的網格比較密，致使引線出現短路、劃痕等現象，導致不良率增加。

發明內容

本發明所解決的主要技術問題，在于提供一種透明導電薄膜，通過將帶有引線電極的撓性連接部件與導電層延伸至不可視區網格進行貼合實現電連接，可以解決現有技術將引線電極與導電層一次成型過程中，由于在引線處的網格比較密，會導致短路、劃痕等不良現象產生的問題。

本發明提供了一種透明導電膜，包括：

基底或表面形成有基質層的基底；

導電層，所述導電層為設置于所述基底上或所述基質層上的網格狀導電層，且延伸至不可視區；

撓性連接部件，所述撓性連接部件包括基片、以及設置于所述基片上的引線電極，該撓性連接部件與所述導電層延伸至不可視區的網格貼合實現引線電極與導電層的電連接。

在本發明的一種具體實施方式中，所述撓性連接部件與所述導電層延伸至不可視區的網格的貼合是通過導電膠進行貼合，其中所述導電膠可以是異方性導電膠等。

在本發明的一種實施方式中，所述基底或所述基質層上設有網格狀凹槽，并且該網格狀凹槽內填充有導電材料形成導電層。其中，所述網格狀凹槽的底部設有深度為500nm～1μm的微型槽，所述微型槽的截面可呈V字形、W字形、弧形或波浪形，所述微型槽結構能夠在導電材料縮聚時防止導電材料的斷裂形成斷路。進一步地，所述網格狀凹槽的寬度為1μm～5μm，深度為2μm～6μm，深度與寬度的比值大于1，本發明方案中，當開設上述微型槽時，所述凹槽的高度應理解為凹槽的最大高度；所述網格狀凹槽的網格為規則網格或隨機網格，其中所述規則網格為正方形網格、矩形網格、平等四邊行網格或正六邊形網格。在本發明的另一種實施方式中，所述導電層還可以在所述基底或所述基質層上進行圖形化而形成凸起結構。

在本發明的一種實施方式中，所述導電層為網格狀，通過向所述凹槽中填充導電材料（導電漿液），然后燒結形成所述網格狀導電層。進一步地，所述導電材料的材質包括銀、銅或導電聚合物。

在本發明提供的透明導電膜中，引線電極先設置于撓性連接部件的基片上，通過撓性連接部件（例如FPC連接器）與導電層的結合，利于保證二者的連接效果和導電膜的質量。

本發明所使用的引線電極為線條狀，且引線電極的線寬為50-200μm，高度為5-10μm。進一步地，所述引線電極可以通過絲網印刷、壓印或噴墨打印等方式形成。其中，所述引線電極為對撓性連接部件的基片進行壓印而形成的凹槽式引線電極；或者為在撓性連接部件的基片上進行圖形化而形成的凸起結構的引線電極。

本發明所使用的基底的材質為熱塑性材料，所述熱塑性材料為聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯；所述基質的層材質為紫外光固化膠、壓印膠或聚碳酸酯。

本發明所使用的基片的材質為熱塑性材料，所述熱塑性材料為聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯。

本發明相比于現有技術具有如下有益效果：

1、本發明的透明導電膜可以采用價格相對低廉的導電材料，其生產成本相對于ITO導電膜而言大大降低。