[發明專利]一種半導體鉬材電鍍釕方法

在審

• 申請號: 201310328500.3
• 申請日: 2013-07-23
• 公開（公告）號: CN104342731A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 李興文
• 申請（專利權）人: 深圳中宇昭日科技有限公司
• 主分類號: C25D5/14
• 分類號: C25D5/14;C25D7/12;C25D3/52
• 代理公司: 暫無信息
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(1)技術領域

本發明是一種對半導體材料鉬片進行電鍍釕的方法，采用這種方法可以獲得具有良好結合力釕鍍層，屬于電鍍技術領域。?

(2)背景技術

在電觸頭領域中，鍍釕的優點日益為人們重視起來。與鍍鍺相比，鍍釕在價格上要便宜得多，并且除了具有與鍺鍍層極為相似的高硬度、抗腐蝕性，還具有優良的抗磨性。?

由于金的價格不時地上漲，進一步突現出低接觸電阻釕鍍層性質的迫切性：又由于具有相當低的密度，因而對于一定鍍層厚度來說，使用釕要經濟得多。釕不同于其他貴金屬，它常會產生一層結合牢固的氧化釕表面膜。這層氧化膜可靠地保護釕，以防止進一步氧化，并且它還具有奇特而有用的導電性，其值與該金屬相等。釕及其氧化膜都能在濕度大的環境中防止硫化物的浸蝕。?

在各種電觸頭、簧片開關和滑環電鍍中，用釕代替鍺和金具有可觀的經濟價值而引起人們極大的興趣。釕除了能保證低的接觸電阻外，還由于它的密度為12.45，比金的密度19.3要低得多，所以當鍍層厚度一定時，采用釕比金要經濟得多。釕電沉積技術此前多用于裝飾品電鍍，不能厚鍍，本工藝鍍層可至2um以上。?

(3)發明內容

一種在鉬片鍍釕的酸性脈沖無裂紋純釕電鍍，鍍層光亮均一、無孔隙、硬度高(800-900HV)，工藝操作簡易，電流效率高、電流密度范圍廣，在1.5A/dm的電流密度下分別電鍍10-30min或更長時間，鍍層可鍍至2μm以上，鍍層相對較白光亮，結合力好適用于厚度為0.01--2um，適用于電子工業、石油、汽車、化工、原子能。?

(4)具體實施方式

為了實現這一方法。本發明采用了下述方案：?

a、化學脫脂：?

將鍍件浸于脫脂液中進行脫脂除油，除油配方為：氫氧化鈉100g/L，磷酸三鈉10g/L，碳酸鈉10g/L，十二烷基磺酸鈉1g/L，溫度為80℃，?

b、陽極電解：?

目的是除去工件表面的氧化層，配方為：硫酸200g/L，其溫度為室溫，陰極電流密度1-5A/dm2，作業方式為陽極處理，時間為5分鐘；?

c、除垢處理：?

用以除去工件表面的污垢，配方為：重鉻酸鉀100g/L，硫酸80g/L，室溫下浸泡1分鐘；?

d、粗化處理：?

目的是為了讓鉬片表面形成親水的基團，配方為：氫氧化鈉100g/L，其溫度為室溫，陰極電流密度1-5A/dm2，作業方式為陰極電解，時間為1分鐘；?

e、祛膜處理：?

經過粗化后的產品表面會有一層黑色膜，需在祛膜液中祛除，祛膜液配方為：鉻酐100g/L；?

f、活化處理：?

將祛膜后的產品進行活化，活化液配方：硫酸200g/L：?

g、閃鍍鎳：?

增強鍍層與基體間的附著力，閃鍍鎳配方為：氯化鎳200～250g/L，鹽酸120g/L，室溫，電流密度4A/dm2，?時間3～10min，陽極鎳板；?

h、預鍍氨鎳：?

將經閃鍍鎳后的鉬片進行電鍍氨基磺酸鎳，氨基磺酸鎳配方為：氨基磺酸鎳250-350g/L，氯化鎳0-15g/L，硼酸30-45g/L，光亮劑10m1/L；操作工藝條件為：攪拌方式為連續過濾，鍍液pH值為3.8-4.5，溫度為50℃，鍍鎳時間為5-10分鐘，電流密度1-101A/dm；?

i、脈沖鍍釕：?

接著將上述鍍件進行脈沖鍍釕，脈沖鍍釕液的配方為：：[μ-氮-雙(四氯-水合釕)]酸鉀5-13g/L，氨基磺酸20g/L，PH1.3，溫度46℃，平均脈沖電流密度0.7-1.1A/dm，頻率為800Hz，占空比為80％，陽極面積與陰極面積之比電流S陽∶S陰>2∶1，陽極采用不溶性鉑鈦網；?

j、.防變色處理：?

隨后將電鍍后產品進行防變色處理，防變色處理液的配方為：苯并三氮唑1g/L，碘化鉀0.8g/L，以乙醇為溶劑，在室溫下鈍化處理40-90秒，最終在100-200℃溫度下干燥后得成品。?