[發明專利]破碎多晶硅棒的裝置和方法

有效

• 申請號: 201310328379.4
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN103567040A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: J·馬特斯;P·格呂布爾;S·里斯
• 申請（專利權）人: 瓦克化學股份公司
• 主分類號: B02C19/08
• 分類號: B02C19/08
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 李振東;過曉東

1.用于破碎多晶硅棒的裝置，該裝置包括底座以及至少一個可移動的破碎鑿及任選存在的至少一個不可移動的砧座，其中所述至少一個破碎鑿的縱軸以平行于或者幾乎平行于所述底座的表面的方式取向，其中位于所述底座的表面上的待破碎的硅棒能夠各自在所述破碎鑿與砧座之間以如下方式加以調節，所述破碎鑿和砧座能夠各自在所述硅棒的區域內與該硅棒接觸，硅棒與砧座的接觸點以及延伸穿過棒中心的硅棒橫軸或者與該橫軸平行并且相對于棒中心的距離最大為棒直徑的30％的硅棒的軸各自位于所述破碎鑿的縱軸上或者位于與所述破碎鑿的縱軸平行并且相對于該破碎鑿的縱軸的距離最大為棒直徑的30％的軸上。

2.根據權利要求1的裝置，其中砧座和硅棒具有恰好一個接觸點，并且包含該接觸點的砧座表面是彎曲的。

3.根據權利要求1或權利要求2的裝置，其中所述破碎鑿的尖端和所述砧座由碳化鎢組成。

4.根據權利要求1的裝置，其中所述底座包襯有對硅的污染風險低的材料，并且具有合適的凹坑以接收所述硅棒并使其穩定化，其中不設置砧座。

5.用于破碎多晶硅棒的方法，其中所述多晶硅棒位于底座上，并在此在至少一個可移動的破碎鑿和任選存在的至少一個不可移動的砧座之間以如下方式加以調節，所述破碎鑿和砧座能夠各自在所述硅棒的區域內與該硅棒接觸，硅棒與砧座的接觸點以及延伸穿過棒中心的硅棒橫軸或者與該橫軸平行并且相對于棒中心的距離最大為棒直徑的30％的硅棒的軸各自位于所述破碎鑿的縱軸上或者位于與所述破碎鑿的縱軸平行并且相對于該破碎鑿的縱軸的距離最大為棒直徑的30％的軸上，隨后開始打擊沖擊，其中在開始打擊沖擊時鑿和硅棒不接觸，其中所述破碎鑿發揮破碎硅棒的作用。

6.根據權利要求5的方法，其中所述砧座的幾何軸與所述破碎鑿的縱軸成直角或者幾乎成直角。

7.根據權利要求5或6的方法，其中多個破碎鑿串聯連接，并且在硅棒長度上交替地由外向內實施打擊序列形式的打擊沖擊。

8.根據權利要求5的方法，其中所述底座包襯有對硅的污染風險低的材料，并且具有合適的凹坑，從而將所述硅棒在破碎期間保持在穩定的位置上，其中不設置單獨的砧座。