[發明專利]基于調制摻雜的GaN肖特基二極管

有效

• 申請號: 201310328121.4
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN103400866A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 梁士雄;馮志紅;房玉龍;邢東;王俊龍;張立森;楊大寶
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/47
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 陸林生

1.一種基于調制摻雜的GaN肖特基二極管，其特征在于包括用于支撐整個GaN肖特基二極管的半絕緣的襯底層（101）、在所述襯底層（101）上生長的高摻雜的N+型GaN層（102），以及在所述N+型GaN層（102）上采用調制摻雜生長的N-型GaN層（103），N-型GaN層（103）的摻雜濃度從N+型GaN層（102）的界面處開始為非均勻分布；在所述的N+型GaN層（102）上生長歐姆接觸電極（104）；在所述的N-型GaN層（103）上生長有肖特基接觸電極（105）。

2.根據權利要求1所述的基于調制摻雜的GaN肖特基二極管，其特征在于所述N-型GaN層（103）的摻雜濃度的變化方式為自上而下遞增、自上而下遞減、指數分布或者高斯分布。

3.根據權利要求1或2所述的基于調制摻雜的GaN肖特基二極管，其特征在于所述N-型GaN層（103）的摻雜元素為Ⅳ族元素，摻雜濃度在10¹⁶/cm³量級到10¹⁸/cm³量級之間。

4.根據權利要求1所述的基于調制摻雜的GaN肖特基二極管，其特征在于所述襯底層（101）包括藍寶石襯底、碳化硅襯底或硅襯底。

5.根據權利要求1所述的基于調制摻雜的GaN肖特基二極管，其特征在于所述N+型GaN層（102）的摻雜元素為Ⅳ族元素，摻雜濃度為10¹⁶cm^-3到10¹⁹cm^-3。