[發明專利]用于熱壓鍵合的鍵合墊，用于制造鍵合墊的方法和構件

在審

• 申請號: 201310327730.8
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN103579156A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: C.謝林;D.博羅夫斯基
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 梁冰;楊國治

1.?鍵合墊（100），用于將一載體材料（106）與另一載體材料進行熱壓鍵合（504），其中，所述鍵合墊（100）具有下列特征：

由金屬制成的能夠變形的基層（102），其與所述載體材料（106）連接，其中，所述金屬是鎳基的；以及

金屬的蓋層（104），其直接與所述基層（102）連接并且至少布置在所述基層（102）的背離所述載體材料（106）的側面上，其中，所述蓋層（104）相對于所述基層（102）具有一更小的層厚度，尤其是所述蓋層（104）比所述基層（102）更加抗氧化。

2.?根據權利要求1所述的鍵合墊（100），其中，所述蓋層（104）由至少一個層構成，所述層至少部分地由下列材料：鈀、金、鉑、銅中的至少一種材料制成。

3.?根據前述權利要求中任一項所述的鍵合墊（100），其中，所述基層（102）的層厚度具有一相對于所述蓋層（104）的層厚度的預設的比例。

4.?根據前述權利要求中任一項所述的鍵合墊（100），其中，所述蓋層（104）的接合面是平坦的和/或平行于所述載體材料（106）的表面布置。

5.?構件（300），具有下列特征：

第一載體材料（302），其在第一表面上具有至少一個根據權利要求1至4中任一項所述的鍵合墊（100）；

第二載體材料（304），其以與所述第一載體材料（302）的一間距布置，并且在所述第二載體材料（304）的面向所述第一載體材料的第一表面的第二表面上具有一與所述鍵合墊（100）對置地布置的接觸部位，所述接觸部位貼合在所述鍵合墊（100）上，其中，所述接觸部位與所述鍵合墊（100）連接，尤其是所述鍵合墊（100）的輪廓在一公差范圍內相應于所述接觸部位的外形。

6.?根據權利要求5所述的構件（300），其中，所述接觸部位構造成另一個根據權利要求1至4中任一項所述的鍵合墊（100）。

7.?根據前述權利要求中任一項所述的構件（300），其中，所述鍵合墊（100）的輪廓圍繞所述第一載體材料（302）和所述第二載體材料（304）之間的內腔環形圍繞地閉合和/或所述接觸部位的外形圍繞所述內腔環形圍繞地閉合。

8.?根據前述權利要求中任一項所述的構件（300），具有至少一個附加的鍵合墊（100）和至少一個附加的接觸部位。

9.?根據權利要求8所述的構件（300），其中，所述鍵合墊（100）和所述附加的鍵合墊（100）具有在所述載體材料的表面上的相同的高度。

10.?根據前述權利要求中任一項所述的構件（100），其中，至少第一載體材料（302）具有一MEMS傳感器元件（402）。

11.?用于在載體材料（106）上制造鍵合墊（100）的方法（200），其中，所述方法（200）至少包括下列步驟：

將一由金屬制成的、鎳基的能變形的基層（102）沉積（202）在所述載體材料（106）上；

將一金屬的蓋層（104）直接沉積（204）在所述基層（102）的背離所述載體材料（106）的側面上，其中，所述蓋層（104）具有一比所述基層（102）更小的層厚度，其中，所述蓋層（104）特別是比所述基層（102）更加抗氧化。

12.?根據權利要求11所述的方法（200），其中，所述沉積（202、204）的步驟中的至少一個步驟借助于一電化學的沉積過程來進行。

13.?根據前述權利要求中任一項所述的方法（200），具有將一掩模層（318）涂覆（502）和結構化到所述載體材料（106）上的步驟，用以獲得一用于所述沉積（202、204）的步驟的掩模。

14.?根據前述權利要求中任一項所述的方法（200），具有一清潔所述蓋層（104）的步驟。