[發(fā)明專利]電路板及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310327528.5 | 申請日： | 2013-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN104349574B | 公開（公告）日： | 2018-02-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 蘇威碩 | 申請（專利權(quán)）人： | 鵬鼎控股（深圳）股份有限公司;鵬鼎科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/02 | 分類號： | H05K1/02;H05K3/46;H05K3/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44311 | 代理人： | 哈達 |
| 地址： | 518105 廣東省深圳市寶安區(qū)燕*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電路板 及其 制作方法 | ||
1.一種電路板，其包括相互結(jié)合的第一電路基板和第二電路基板，所述第一電路基板包括絕緣層、用于高頻傳輸?shù)膶щ娋€路及第一導電線路層，所述用于高頻傳輸?shù)膶щ娋€路及第一導電線路層形成于所述第一電路基板的絕緣層的相對兩側(cè)，所述第一電路基板的絕緣層內(nèi)具有凹槽圖形，所述用于高頻傳輸?shù)膶щ娋€路形成于所述凹槽圖形內(nèi)，所述凹槽圖形采用準分子激光燒蝕形成，所述第二電路基板包括絕緣層和第二導電線路層，所述第二電路基板的絕緣層與所述第一電路基板的絕緣層相結(jié)合，所述高頻傳輸?shù)膶щ娋€路與所述第二電路基板的絕緣層相接觸，所述第二導電線路層位于所述第二電路基板遠離所述第一電路基板的一側(cè)，所述第一電路基板的絕緣層和所述第二電路基板的絕緣層均采用熱塑性材料制成，所述第一電路基板內(nèi)形成有第一導電孔，所述第一導電孔與第一導電線路層相互電連接，所述第二電路基板內(nèi)形成有第二導電孔，所述第二導電孔與所述第二導電線路層相互電連接，所述第二導電孔與所述第一導電孔一一對應連通，所述第一導電線路層和所述第二導電線路層通過所述第一導電孔和所述第二導電孔相互連通，所述第一導電孔和所述第二導電孔內(nèi)填充有導電膏，所述第一導電線路層和所述第二導電線路層內(nèi)包括用于電磁屏蔽的導電片。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述第一電路基板的絕緣層和所述第二電路基板的絕緣層均采用液晶高分子材料制成。
3.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述第一導電線路層埋入于所述第一電路基板的絕緣層遠離所述第二電路基板的一側(cè)，所述第二導電線路層埋入于所述第二電路基板的絕緣層遠離所述第一電路基板的一側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述電路板還包括第三電路基板和第四電路基板，所述第三電路基板包括絕緣層和第三導電線路層，所述第三電路基板的的絕緣層與所述第二電路基板的絕緣層相互結(jié)合，所述第三導電線路層形成于所述第三電路基板的絕緣層內(nèi)并未于遠離所述第二電路基板的一側(cè)，所述第四電路基板包括絕緣層及第四導電線路層，所述第四電路基板的絕緣層與所述第一電路基板的絕緣層遠離所述第二電路基板的一側(cè)相結(jié)合，所述第四導電線路層形成于所述第四電路基板的絕緣層內(nèi)并未于遠離所述第一電路基板的一側(cè)，所述第三電路基板的絕緣層和所述第四電路基板的絕緣層均采用熱塑性材料制成。
5.如權(quán)利要求4所述的電路板，其特征在于，所述第三電路基板的絕緣層和所述第四電路基板的絕緣層均采用液晶高分子材料制成。
6.一種電路板的制作方法，包括步驟：
提供兩個覆銅基板，每個覆銅基板包括絕緣層形成于所述絕緣層表面的銅箔層，
在其中一個所述覆銅基板的所述絕緣層內(nèi)遠離所述銅箔層的一側(cè)形成凹槽圖形；
在所述凹槽圖形內(nèi)形成導電金屬得到用于高頻傳輸?shù)膶щ娋€路；
將所述銅箔層制作形成第一導電線路層，得到第一電路基板，所述第一導電線路層內(nèi)包括用于電磁屏蔽的導電片；
將另一個所述覆銅基板的所述銅箔層制作形成第二導電線路層，從而得到第二電路基板，所述第二導電線路層內(nèi)包括用于電磁屏蔽的導電片；
在所述第一電路基板內(nèi)形成第一導電孔，在所述第二電路基板內(nèi)形成第二導電孔，所述第一導電孔和所述第二導電孔內(nèi)填充有導電膏；以及
壓合所述第一電路基板和所述第二電路基板，使得所述第一電路基板的絕緣層和所述第二電路基板的絕緣層相互結(jié)合，所述用于高頻傳輸?shù)膶щ娋€路與所述第二電路基板的絕緣層相接觸，所述第一導電孔和所述第二導電孔一一對應連接，所述第一導電線路層和所述第二導電線路層通過所述第一導電孔和所述第二導電孔相互電導通。
7.如權(quán)利要求6所述的電路板制作方法，其特征在于，所述凹槽圖形采用準分子激光燒蝕形成。
8.如權(quán)利要求6所述電路板制作方法，其特征在于，在壓合所述第一電路基板和所述第二電路基板之前，還包括制作第三電路基板及第四電路基板，在壓合所述第一電路基板和所述第二電路基板時，還一并壓合所述第三電路基板和所述第四電路基板，使得所述第三電路基板形成于所述第二電路基板一側(cè)，所述第四電路基板形成于所述第一電路基板一側(cè)，所述第三電路基板和所述第四電路基板的制作方法分別包括：
提供絕緣基材，所述絕緣基材采用熱塑性材料制成；
在所述絕緣基材一側(cè)向絕緣基材內(nèi)形成第二凹槽圖形，并在所述第二凹槽圖形內(nèi)形成導電金屬形成導電線路；
在所述絕緣基材內(nèi)形成第三導電孔，所述第三導電孔與所述形成于所述第二凹槽圖形內(nèi)的導電線路相互連接，所述第三導電孔用于電連接所述第二凹槽圖形內(nèi)的導電線路及所述第一導電線路層或所述第二導電線路層。
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