[發明專利]一種導電聚合物二氧化釕薄膜電極及其制備方法

有效

• 申請號: 201310327309.7
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN103400696A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 袁坤陽;何靜
• 申請（專利權）人: 株洲宏達電子有限公司
• 主分類號: H01G9/042
• 分類號: H01G9/042
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所 31251
• 代理人: 王法男

1.一種導電聚合物二氧化釕薄膜電極，所述導電聚合物二氧化釕薄膜電極形成于鉭電容器的鉭片（3）表面，其特征是，所述導電聚合物二氧化釕薄膜電極是一種以聚3，4-乙撐二氧噻吩（1）或改性的聚3，4-乙撐二氧噻吩為基材、二氧化釕粉末（2）分散其中的薄膜電極。

2.一種導電聚合物二氧化釕薄膜電極的制備方法，其特征是，先將二氧化釕粉末加入到3，4-乙撐二氧噻吩單體溶液和/或氧化劑溶液中，混合均勻；再將打磨好的鉭片浸入3，4-乙撐二氧噻吩單體溶液中，使鉭片表面吸附一層3，4-乙撐二氧噻吩單體；再將粘有3，4-乙撐二氧噻吩單體的鉭片浸入氧化劑溶液中，反復進行5-20次；在0℃～+40℃的溫度下聚合，直至鉭片表面形成含有二氧化釕粉末的導電聚3，4-乙撐二氧噻吩薄膜。

3.根據權利要求2所述的導電聚合物二氧化釕薄膜電極的制備方法，其特征是，所述3，4-乙撐二氧噻吩單體溶液的溶劑為下列物質中的一種或幾種：乙醇、甲醇、醋酸丁酯、正丁醇；所述氧化劑溶液的溶劑為下列物質中的一種或幾種：乙醇、甲醇、正丁醇、水。

4.根據權利要求2所述的導電聚合物二氧化釕薄膜電極的制備方法，其特征是，所述氧化劑溶液是氧化劑甲苯磺酸鐵溶液。

5.一種導電聚合物二氧化釕薄膜電極的制備方法，其特征是，先將二氧化釕粉末加入預先聚合好的聚3，4-乙撐二氧噻吩溶液中，混合均勻；再將打磨好的鉭片浸入該溶液中，反復5-20次；在常溫下烘干，直至鉭片表面形成含有二氧化釕粉末導電聚3，4-乙撐二氧噻吩薄膜。

6.根據權利要求5所述的導電聚合物二氧化釕薄膜電極的制備方法，其特征是，所述聚3，4-乙撐二氧噻吩溶液的溶劑為下列物質中的一種或幾種：乙醇、甲醇、正丁醇、醋酸丁酯、水。

7.一種大容量的導電高分子固體電解質鉭電容器，包括鉭陽極和位于鉭陽極表面的片式薄膜電極，其特征是，所述片式薄膜電極是權利要求1所述的導電聚合物二氧化釕薄膜電極。