[發(fā)明專利]一種導電聚合物二氧化釕薄膜電極及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310327309.7 | 申請日: | 2013-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN103400696A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 袁坤陽;何靜 | 申請(專利權)人: | 株洲宏達電子有限公司 |
| 主分類號: | H01G9/042 | 分類號: | H01G9/042 |
| 代理公司: | 上海碩力知識產權代理事務所 31251 | 代理人: | 王法男 |
| 地址: | 412011 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 導電 聚合物 氧化 薄膜 電極 及其 制備 方法 | ||
1.一種導電聚合物二氧化釕薄膜電極,所述導電聚合物二氧化釕薄膜電極形成于鉭電容器的鉭片(3)表面,其特征是,所述導電聚合物二氧化釕薄膜電極是一種以聚3,4-乙撐二氧噻吩(1)或改性的聚3,4-乙撐二氧噻吩為基材、二氧化釕粉末(2)分散其中的薄膜電極。
2.一種導電聚合物二氧化釕薄膜電極的制備方法,其特征是,先將二氧化釕粉末加入到3,4-乙撐二氧噻吩單體溶液和/或氧化劑溶液中,混合均勻;再將打磨好的鉭片浸入3,4-乙撐二氧噻吩單體溶液中,使鉭片表面吸附一層3,4-乙撐二氧噻吩單體;再將粘有3,4-乙撐二氧噻吩單體的鉭片浸入氧化劑溶液中,反復進行5-20次;在0℃~+40℃的溫度下聚合,直至鉭片表面形成含有二氧化釕粉末的導電聚3,4-乙撐二氧噻吩薄膜。
3.根據權利要求2所述的導電聚合物二氧化釕薄膜電極的制備方法,其特征是,所述3,4-乙撐二氧噻吩單體溶液的溶劑為下列物質中的一種或幾種:乙醇、甲醇、醋酸丁酯、正丁醇;所述氧化劑溶液的溶劑為下列物質中的一種或幾種:乙醇、甲醇、正丁醇、水。
4.根據權利要求2所述的導電聚合物二氧化釕薄膜電極的制備方法,其特征是,所述氧化劑溶液是氧化劑甲苯磺酸鐵溶液。
5.一種導電聚合物二氧化釕薄膜電極的制備方法,其特征是,先將二氧化釕粉末加入預先聚合好的聚3,4-乙撐二氧噻吩溶液中,混合均勻;再將打磨好的鉭片浸入該溶液中,反復5-20次;在常溫下烘干,直至鉭片表面形成含有二氧化釕粉末導電聚3,4-乙撐二氧噻吩薄膜。
6.根據權利要求5所述的導電聚合物二氧化釕薄膜電極的制備方法,其特征是,所述聚3,4-乙撐二氧噻吩溶液的溶劑為下列物質中的一種或幾種:乙醇、甲醇、正丁醇、醋酸丁酯、水。
7.一種大容量的導電高分子固體電解質鉭電容器,包括鉭陽極和位于鉭陽極表面的片式薄膜電極,其特征是,所述片式薄膜電極是權利要求1所述的導電聚合物二氧化釕薄膜電極。
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