[發(fā)明專利]一種延伸波長的平面型銦鎵砷紅外探測器芯片制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310327079.4
• 申請日: 2013-07-30
• 公開（公告）號: CN103413863A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊波;鄧洪海;朱龍源;邵秀梅;李雪;李淘;唐恒敬;魏鵬;王云姬;龔海梅
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種延伸波長的平面型銦鎵砷紅外探測器芯片制備方法，其步驟包括：1)在傳統(tǒng)的平面型銦鎵砷外延材料中生長一層銦鎵砷腐蝕阻擋層，2）制備背照射光敏芯片，3）將光敏芯片與讀出電路倒焊，4）充膠，5）去除磷化銦襯底，6）去除銦鎵砷腐蝕阻擋層，7）光刻膠剝離，8）芯片測試，其特征在于：

A.所述的步驟1）中，在傳統(tǒng)的平面型銦鎵砷外延材料上采用金屬有機化學(xué)氣相沉積工藝生長一層厚度為0.2μm的銦鎵砷腐蝕阻擋層；

B．所述的步驟5）中，去除磷化銦襯底采用化學(xué)機械拋光和濕法腐蝕相結(jié)合的方法，機械拋光轉(zhuǎn)速為12轉(zhuǎn)/分鐘，濕法腐蝕液采用36.5%鹽酸溶液和磷酸溶液的混合液，其體積配比為3：1，腐蝕溫度為25℃；

C．所述的步驟6）中，采用濕法腐蝕去除銦鎵砷腐蝕阻擋層，腐蝕液為50%酒石酸溶液和雙氧水的混合液，其體積配比為5：1，腐蝕溫度為35℃。